时间：2025/12/27 9:42:35
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MDKK1616T1R0MM是一款由台湾半导体公司MagnaChip生产的高性能、低功耗的PMOS场效应晶体管（P-Channel MOSFET），采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造，专为高效率电源管理应用设计。该器件封装在小型化的1.6mm x 1.6mm DFN1616-6（也称SOT563）封装中，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适合用于便携式电子设备中的负载开关、电池管理、电源路径控制以及DC-DC转换电路等场景。MDKK1616T1R0MM的命名规则中，“MDK”代表MagnaChip的MOSFET系列，“K”表示P沟道，“1616”指封装尺寸，“T”代表DFN封装，“1R0”表示其标称导通电阻为1.0Ω，“MM”为卷带包装标识。该器件在小尺寸与高性能之间实现了良好平衡，是空间受限应用的理想选择。
型号：MDKK1616T1R0MM
极性：P-Channel
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：-1.8A（@Tc=70℃）
脉冲漏极电流（IDM）：-4.5A
导通电阻（RDS(on)）：1.0Ω（@VGS=-4.5V）
导通电阻（RDS(on)）：1.3Ω（@VGS=-2.5V）
阈值电压（VGS(th)）：-0.6V ~ -1.0V（@ID=-250μA）
输入电容（Ciss）：290pF（@VDS=-10V, VGS=0V）
输出电容（Coss）：210pF
反向传输电容（Crss）：45pF
栅极电荷（Qg）：5.8nC（@VGS=-5V）
功率耗散（PD）：1.0W（@Tc=25℃）
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
封装类型：DFN1616-6（SOT563）
安装方式：表面贴装（SMT）
MDKK1616T1R0MM采用MagnaChip先进的沟槽型MOSFET技术，具备出色的电学性能和可靠性。其核心优势之一是低导通电阻，在VGS=-4.5V条件下RDS(on)仅为1.0Ω，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率，尤其适用于对能效要求较高的电池供电设备。此外，该器件在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好的导通特性，例如在VGS=-2.5V时RDS(on)为1.3Ω，使其兼容3.3V或更低逻辑电平的控制信号，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。
该PMOS器件具有快速的开关响应能力，得益于其较低的输入电容（Ciss=290pF）和栅极电荷（Qg=5.8nC），能够实现高频开关操作，适用于DC-DC转换器中的同步整流或负载切换应用。其反向传输电容（Crss）仅为45pF，有助于减少米勒效应引起的寄生导通风险，提升开关稳定性。同时，器件具备良好的热性能，DFN1616-6封装底部带有散热焊盘，可通过PCB有效散热，最大功率耗散可达1.0W（在理想散热条件下），确保在高负载情况下仍能稳定运行。
MDKK1616T1R0MM的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，具备优良的温度适应性和长期可靠性，适用于工业级和消费类电子产品。其小型化封装（1.6mm×1.6mm）极大地节省了PCB布局空间，非常适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备、物联网终端等对体积敏感的应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，支持回流焊工艺，便于自动化生产。综合来看，MDKK1616T1R0MM在性能、尺寸、功耗和成本之间实现了优化平衡，是现代便携式电子系统中理想的P沟道MOSFET解决方案。
MDKK1616T1R0MM广泛应用于各类低电压、小电流的电源管理场合。典型应用包括便携式电子设备中的电源开关和负载切换电路，如智能手机和平板电脑中的LCD背光控制、摄像头模块供电管理、音频放大器使能控制等，利用其低导通电阻和快速响应特性实现高效、精准的电源通断控制。此外，该器件常用于电池供电系统的电源路径管理，例如在单节锂离子电池与系统主电源之间进行切换，确保充电和放电过程的安全与高效。
在DC-DC转换器拓扑中，MDKK1616T1R0MM可作为同步整流器使用，尤其是在降压（Buck）转换器的低端开关位置，替代传统肖特基二极管以降低导通损耗，提升转换效率。由于其支持低电压驱动，特别适用于由控制器直接驱动的轻载或中等负载场景。该器件也适用于过压/过流保护电路中的开关元件，配合控制IC实现自动切断故障电源的功能。
其他应用场景还包括USB端口的电源控制、传感器模块的上电时序管理、无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙）的电源域隔离，以及各类嵌入式系统中的逻辑电平切换和信号路由。得益于其小型封装和高可靠性，MDKK1616T1R0MM在可穿戴设备、智能家居终端、医疗电子和个人移动设备中均有广泛应用。
AOA1616T1R0MM
SI2303DDS-T1-E3
FDMC8878
