时间：2025/9/12 9:27:28
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MDF6N60BTH 是一款由 MagnaChip 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220F 封装形式。这款器件主要设计用于高电压、高功率的开关应用，例如电源转换器、DC-DC 转换器以及各种开关电源设备。MDF6N60BTH 具有较高的击穿电压和良好的导通电阻特性，使其能够在高压和大电流条件下稳定工作。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
封装：TO-220F
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
漏极电流（ID）：6A
导通电阻（RDS(ON)）：1.6Ω（最大值）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
MDF6N60BTH 的设计特点使其在高压功率应用中表现出色。首先，它的漏源电压高达 600V，能够承受较高的电压应力，适用于多种高压电源转换场景。其次，导通电阻 RDS(ON) 最大值为 1.6Ω，在同类器件中具有较好的导通性能，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，MDF6N60BTH 的栅极驱动电压范围较宽，允许使用 ±30V 的栅极电压，提高了设计的灵活性。
该器件的封装形式为 TO-220F，具有良好的散热性能，适合在较高功率密度的应用中使用。TO-220F 是一种常见的功率封装，易于安装和散热管理。MDF6N60BTH 还具备较高的可靠性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行，例如高温或高湿度环境。
MDF6N60BTH 主要用于需要高压和高功率处理能力的电路中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC 和 DC-DC 转换器、电机驱动器、LED 照明驱动器、工业自动化设备以及各种电力电子系统。由于其高压耐受能力和良好的导通性能，MDF6N60BTH 特别适用于需要高可靠性和高效率的电源转换应用。
IRF840, FQP6N60C, STP6NK60Z, 2SK2141
