MDF6N60 时间：2025/12/28 0:23:58 阅读：16

MDF6N60是一款由UTC（友顺科技）生产的N沟道增强型高压功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高效率功率开关的电子设备中。该器件采用先进的平面条纹式场栅极技术制造，具有优良的性能参数和高可靠性。MDF6N60的额定电压为600V，连续漏极电流可达5A（在25°C下），适用于中等功率级别的应用场合。其封装形式通常为TO-220或TO-220F，具备良好的热稳定性和机械强度，适合通孔安装。由于其低导通电阻、快速开关速度以及出色的雪崩能量承受能力，MDF6N60在节能型电源设计中表现出色。此外，该MOSFET内部通常集成有快速恢复体二极管，能够在感性负载切换过程中提供反向电流通路，从而保护器件免受反向电压冲击。MDF6N60的设计符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品的需求。在实际应用中，用户需注意其热管理设计，确保在高负载条件下能够有效散热，以维持长期稳定运行。

参数

型号：MDF6N60
　　极性：N沟道
　　漏源电压(VDSS)：600V
　　连续漏极电流(ID)：5A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：20A
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　导通电阻(RDS(on))：1.8Ω @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：2.2Ω @ VGS=10V, ID=2.5A
　　阈值电压(VGS(th))：3V ~ 5V
　　输入电容(Ciss)：800pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss)：280pF @ VDS=25V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=25V
　　总栅极电荷(Qg)：35nC @ VGS=10V
　　上升时间(tr)：45ns
　　下降时间(tf)：70ns
　　最大工作结温(Tj)：150°C
　　封装类型：TO-220/TO-220F

特性

MDF6N60具备多项优异的电气与物理特性，使其在中高压功率开关应用中表现卓越。首先，其高达600V的漏源击穿电压使其适用于多种离线式开关电源设计，如AC-DC适配器、LED驱动电源及工业控制电源系统。该器件在VGS=10V时的典型导通电阻仅为1.8Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体能效。同时，较低的栅极电荷（Qg=35nC）和输入电容（Ciss=800pF）使得其驱动功耗小，易于被PWM控制器直接驱动，提升了系统的响应速度与动态性能。
　　其次，MDF6N60采用了先进的平面场效应技术，优化了电场分布，增强了器件的耐压能力和抗雪崩能力。其具备较高的雪崩能量承受能力，可在瞬态过压或感性负载关断时有效防止器件损坏，提升系统鲁棒性。此外，该MOSFET的阈值电压范围为3V至5V，确保了在不同工作条件下均能可靠开启，避免误触发或开启延迟问题。
　　在热性能方面，TO-220封装提供了良好的热传导路径，配合散热片可有效将结温控制在安全范围内。器件的最大结温为150°C，并支持宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），适用于严苛环境下的长期运行。同时，MDF6N60具备快速开关特性，上升时间为45ns，下降时间为70ns，显著减少了开关过程中的交越损耗，进一步提升高频应用效率。
　　另外，该器件内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，虽然未特别标注为超快恢复二极管，但在多数非高频硬开关场景中已能满足需求。其反向恢复电荷（Qrr）较低，有助于减少反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI）。综合来看，MDF6N60凭借其高耐压、低导通电阻、良好热稳定性及可靠的制造工艺，成为中小功率电源设计中的理想选择。

应用

MDF6N60广泛应用于各类中等功率开关电源系统中，典型应用场景包括：AC-DC开关电源适配器，用于笔记本电脑、显示器、家用电器等设备的供电模块；DC-DC转换器，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）及反激式（Flyback）拓扑结构中作为主开关元件；LED照明驱动电源，因其高效率和稳定性能，适用于恒流输出设计；逆变器系统，如太阳能微逆变器或UPS不间断电源中的直流到交流转换环节；电机控制电路，在小功率电机驱动中作为功率开关使用；此外，还常见于充电器、电源模块、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率管理单元。其高耐压特性使其特别适合接入整流后的市电电压（约300V~400V），在离线式电源设计中具有显著优势。得益于其良好的热特性和封装兼容性，MDF6N60也便于进行PCB布局与散热设计，适合批量生产与自动化装配。