类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：20V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　脉冲漏极电流（Id_pulse）：32A
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻Rds(on)：11mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻Rds(on)：14mΩ @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：560pF @ Vds=10V
　　输出电容（Coss）：220pF @ Vds=10V
　　反向传输电容（Crss）：45pF @ Vds=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：25ns
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-252 (D-PAK)

MDF1921TH采用先进的沟槽式MOSFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能。其最大漏源电压为20V，适用于低电压大电流的应用场合，如DC-DC转换器、电机驱动和电池供电设备。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为11mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体能效。即使在较低的驱动电压下（如4.5V），其导通电阻也仅14mΩ，确保在逻辑电平驱动条件下仍能保持良好性能，增强了与微控制器或PWM控制器的兼容性。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），使得在高频开关操作中所需的驱动功率更小，从而减少驱动电路的设计复杂度并提高响应速度。输入电容为560pF，在高频应用中表现出稳定的频率响应特性。同时，输出电容和反向传输电容的优化设计减少了开关过程中的能量损失，进一步提升了转换效率。
　　MDF1921TH具备良好的热稳定性，其最大工作结温可达+150℃，能够在高温环境下可靠运行。TO-252封装提供了有效的散热路径，允许器件在高负载条件下持续工作而不过热。此外，该MOSFET具有较高的雪崩耐量，能够承受一定的电压过冲和瞬态应力，增强了系统的鲁棒性。
　　内置体二极管具有较快的反向恢复速度，适用于需要续流功能的拓扑结构，如同步整流和H桥驱动。该体二极管的正向压降较低，有助于减少非理想导通期间的能量损耗。综合来看，MDF1921TH在性能、可靠性和封装尺寸之间取得了良好平衡，是中小功率开关应用的理想选择之一。

MDF1921TH广泛用于各类需要高效开关控制的电子电路中。典型应用场景包括便携式电子设备的电源管理系统，例如智能手机、平板电脑和移动电源中的负载开关与电池保护电路。在这些设备中，该MOSFET可用于控制电池对主系统的供电通断，利用其低导通电阻来最小化电压降和发热问题。
　　在DC-DC转换器中，尤其是降压（Buck）变换器拓扑中，MDF1921TH可作为同步整流管使用，替代传统的肖特基二极管，大幅提高转换效率。由于其快速的开关响应能力和低栅极驱动需求，非常适合高频工作的开关电源设计。
　　工业控制领域中，该器件可用于继电器驱动、LED驱动电源、小型电机控制和电源分配单元。其表面贴装封装便于自动化生产，适合批量制造。此外，在USB供电接口、充电管理模块和热插拔电路中，MDF1921TH也能发挥出色的开关与保护作用。
　　由于其具备一定的电流承载能力和良好的热性能，MDF1921TH还可用于各类电源适配器、嵌入式系统主板上的电压调节模块（VRM）以及消费类家电中的智能控制板卡。总体而言，该器件适用于所有要求高效率、小体积和高可靠性的低压功率开关应用。

SI2302DS
　　AO3400
　　FDS6679