MDF18N50TH 时间：2025/8/17 4:40:51 阅读：6

MDF18N50TH 是一款由 MagnaChip 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高功率开关应用。这款 MOSFET 具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及各种高功率电子设备。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：18A
　　最大漏-源电压 (VDS)：500V
　　最大栅-源电压 (VGS)：±20V
　　导通电阻 (RDS(on))：典型值 0.23Ω（在 VGS = 10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220F

特性

MDF18N50TH 的核心特性之一是其出色的导通性能，RDS(on) 低至 0.23Ω，有助于降低导通损耗，提高能效。该器件采用先进的平面工艺技术制造，确保了在高温环境下的稳定性和可靠性。
　　此外，MDF18N50TH 具有高击穿电压能力（VDS 最大为 500V），能够承受高电压应力，适用于高压电源系统。其栅极结构设计支持快速开关，从而减少开关损耗，提高整体系统效率。
　　在热性能方面，MDF18N50TH 的封装设计优化了热传导路径，使得器件在高负载下仍能保持较低的结温，延长使用寿命并提高系统稳定性。
　　该 MOSFET 还具备良好的短路和过载保护能力，适用于需要高可靠性的工业和消费类电子产品。TO-220F 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，适用于各种电源应用。

应用

MDF18N50TH 常见于各类高功率开关电源（SMPS）中，如适配器、充电器、服务器电源和工业电源系统。它也可用于 DC-DC 转换器、LED 照明驱动器和电机控制电路，适用于需要高效率和高稳定性的场景。
　　在家电领域，MDF18N50TH 可用于变频空调、洗衣机和微波炉中的功率控制模块。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电系统中，该器件也具备广泛的应用潜力。
　　由于其优异的导通特性和热管理性能，MDF18N50TH 也适用于高频开关应用，如谐振变换器和 ZVS（零电压开关）拓扑结构。