时间：2025/12/29 13:31:34
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MDF13N50TH是一款功率MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效功率转换的电路中。作为一款N沟道增强型场效应晶体管，MDF13N50TH具备低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，使其在电源管理和功率放大应用中表现出色。这款器件通常采用TO-220封装，适合用于各种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道
最大漏极电流：13A
漏极-源极击穿电压：500V
导通电阻：0.38Ω（最大）
栅极-源极电压：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
MDF13N50TH具有低导通电阻的特点，使其在导通状态下损耗较小，提高了系统的整体效率。此外，该器件具备高耐压能力，漏极-源极击穿电压高达500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压应用环境。
该MOSFET具有快速开关特性，能够支持高频操作，减少开关损耗，提高电路的响应速度和效率。MDF13N50TH还具备良好的热稳定性和可靠性，适合长时间运行在较高温度环境下。
其TO-220封装形式不仅便于安装和散热，还能够在多种电路布局中灵活使用。这种封装还提供了良好的机械强度和电气绝缘性能，有助于提高整体系统的稳定性和安全性。
MDF13N50TH广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及各种功率放大电路中。在电源管理领域，该器件可以作为主开关元件，实现高效的能量转换。在工业自动化和电机控制应用中，MDF13N50TH能够提供稳定的功率输出，确保设备的可靠运行。
此外，该MOSFET还可用于LED照明驱动、电池充电器、UPS系统以及其他需要高压和高电流能力的电子设备中。由于其高可靠性和良好的热性能，MDF13N50TH也适用于对稳定性要求较高的工业和通信设备。
FDP13N50, STP13N50U, IRFBC40
