时间：2025/12/27 7:28:09
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MDD9N50是一款由MDD（Mainstay Technology）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路以及电机控制等领域。该器件采用高效率的平面栅极技术制造，具备良好的导通特性和较高的耐压能力，适用于中等功率场景下的开关操作。MDD9N50的命名规则中，“9N”通常代表其电流和电压等级，而“50”则表明其漏源击穿电压为500V，符合通用的MOSFET命名习惯。该器件封装形式常见为TO-220或TO-220F，具有良好的热稳定性和机械强度，适合在工业环境和消费类电子产品中使用。MDD9N50以其高性价比、可靠性和稳定性，在电源适配器、LED驱动电源、逆变器和DC-AC转换器等应用中得到了广泛应用。此外，该器件还具备较低的栅极电荷和输入电容，有助于降低开关损耗，提高系统整体效率。作为一款通用型高压MOSFET，MDD9N50在设计替代进口品牌如ST、ON Semi、Infineon等厂商产品时也常被考虑，尤其适合对成本敏感但性能要求稳定的项目应用。
型号：MDD9N50
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：500V
栅源电压(VGS)：±30V
连续漏极电流(ID)：9A @ 25℃
脉冲漏极电流(IDM)：36A
导通电阻(RDS(on))：≤1.2Ω @ VGS=10V
阈值电压(VGS(th))：2~4V
最大功耗(PD)：125W
工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220/TO-220F
MDD9N50具备优异的电气性能和可靠性，其核心特性之一是高耐压能力，漏源击穿电压高达500V，使其能够在高压环境下稳定工作，适用于离线式开关电源等需要承受高电压应力的应用场景。该器件的导通电阻在VGS=10V条件下不超过1.2Ω，这一数值在同类500V N沟道MOSFET中处于合理水平，能够在保证足够电流承载能力的同时减少导通损耗，提升能效。此外，MDD9N50具有较低的栅极电荷（Qg），典型值在70nC左右，这有助于降低驱动电路的功耗，并加快开关速度，从而减小开关过程中的能量损耗，特别适用于高频开关电源设计。器件的输入电容（Ciss）约为1100pF，输出电容（Coss）约为400pF，反向传输电容（Crss）较低，有助于抑制米勒效应，提高抗干扰能力和系统稳定性。
在热性能方面，MDD9N50采用TO-220封装，具有良好的散热能力，最大功耗可达125W（在25℃环境温度下），结温范围宽达-55℃至+150℃，适应严苛的工作环境。该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够承受一定程度的电感负载突变，增强了系统的鲁棒性。其阈值电压范围为2~4V，兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与PWM控制器或微处理器直接接口。此外，MDD9N50在制造过程中遵循RoHS环保标准，无铅且符合现代电子产品的环保要求。总体而言，该器件在性能、成本和可靠性之间实现了良好平衡，是中功率开关应用中的优选方案之一。
MDD9N50广泛应用于各类中高电压开关电源系统中，尤其是在交流-直流（AC-DC）和直流-直流（DC-DC）转换器中表现突出。它常用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）等拓扑结构的开关电源设计，作为主开关管使用，适用于笔记本电脑适配器、手机充电器、LCD显示器电源模块等消费类电子产品。在LED照明领域，MDD9N50可用于恒流驱动电源的设计，特别是在大功率LED路灯、工业照明等需要高效能和长寿命的场合。此外，该器件也适用于逆变器系统，如太阳能微逆变器、UPS不间断电源和小型光伏并网设备，承担直流到交流的能量转换功能。在工业控制方面，MDD9N50可用于电机驱动电路、电磁阀控制和继电器驱动等开关负载控制场景，凭借其高耐压和良好的过载能力，确保系统在复杂电磁环境中稳定运行。由于其封装形式为TO-220，易于安装和散热，适合手工焊接和自动化生产，因此也被广泛用于教育实验平台和原型开发项目中。总的来说，MDD9N50凭借其高性价比和通用性，在多个行业中成为设计师常用的功率开关元件。
KSD9N50, KSE9N50, STP9NK50ZFP, FQP9N50, IRFBC40
