时间：2025/8/6 12:35:05
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MDD95-08N1B 是一款由 Mitsubishi Electric（三菱电机）制造的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，广泛应用于需要高功率密度和高效能的电力电子系统中。该模块结合了 MOSFET 的易驱动特性和双极型晶体管的低饱和压降优点，适用于逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）以及可再生能源系统等场合。
类型：IGBT 模块
最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
最大集电极电流（IC）：95A
短路电流能力：180A
导通压降（VCEsat @ IC=95A, TJ=25°C）：约2.1V
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
存储温度范围：-40°C 至 +150°C
封装形式：标准双列直插式（DIP）模块
绝缘等级：符合 IEC 60146-1 标准
MDD95-08N1B 的核心特性在于其优异的电气性能和热稳定性。该模块采用了先进的 IGBT 技术，确保了在高电流负载下仍能保持较低的导通损耗和开关损耗。此外，该模块的封装设计具备良好的散热性能，能够在高功率应用中有效降低结温，从而提高器件的可靠性与寿命。
模块内部集成了反并联二极管，能够有效处理感性负载产生的反向电流，保护 IGBT 免受损坏。其短路耐受能力也经过优化，能够在异常工况下提供更高的安全性。
MDD95-08N1B 还具有出色的抗热疲劳能力，能够在频繁的开关操作和温度循环中保持稳定性能。这种特性使其特别适合用于工业变频器、电机控制器以及新能源汽车等对可靠性要求极高的应用场景。
MDD95-08N1B 主要应用于需要高效功率转换和控制的电力电子设备中。典型应用包括工业变频器、伺服驱动器、电梯控制系统、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车的电机控制器等。由于其高可靠性和优异的热管理能力，该模块也适用于环境条件较为严苛的工业自动化系统和能源管理系统。
MDD95-08N1B 可以被以下型号替代：MDD95-12N1B（更高电压等级）、MDD120-08N1B（更高电流等级）以及部分兼容的第三方 IGBT 模块，如 Infineon 的 FF95R12RT4 或 STMicroelectronics 的 SCT95N12AL1AG 等。
