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MDD95-08N1 B 发布时间 时间:2025/8/5 22:22:11 查看 阅读:70

MDD95-08N1 B 是一款由Microsemi(现为L3Harris Technologies的一部分)生产的功率MOSFET模块,广泛应用于需要高效功率控制的工业和电力电子系统中。该模块设计用于高可靠性和高耐久性,适用于电机驱动、电源转换、不间断电源(UPS)、焊接设备和感应加热等多种高功率应用。MDD95-08N1 B采用先进的沟槽栅极技术,提供低导通电阻和高开关速度,确保系统效率最大化。

参数

类型:功率MOSFET模块
  最大漏源电压(VDS):800V
  最大漏极电流(ID):95A
  导通电阻(RDS(on)):典型值为0.016Ω
  栅极电压范围:-20V至+20V
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:双列直插式封装(DIP)
  热阻(RthJC):约0.25°C/W
  功率耗散:根据散热条件而定,典型值为300W

特性

MDD95-08N1 B 具备多项优越特性,确保其在高功率应用中的可靠性和效率。首先,其高耐压能力(800V VDS)使其适用于高电压系统,如工业电源和感应加热设备。其次,该模块的低导通电阻(RDS(on) 0.016Ω)有效降低了导通损耗,提高了整体系统效率。此外,该器件支持高达95A的漏极电流,能够处理大功率负载,适用于高电流需求的应用场景。
  该模块采用高性能的沟槽栅极MOSFET技术,提供了卓越的开关性能,减少了开关损耗并提高了响应速度。同时,其宽广的栅极电压范围(-20V至+20V)允许使用多种驱动电路配置,增加了设计的灵活性。在热管理方面,MDD95-08N1 B具有较低的热阻(RthJC 0.25°C/W),能够快速将热量传导至散热器,确保器件在高负载下仍能保持稳定工作温度。
  该器件的工作温度范围广泛(-55°C至+150°C),适用于各种严苛环境条件,如工业自动化、能源系统和户外设备。其DIP封装形式便于安装和更换,适用于多种电路板布局。此外,MDD95-08N1 B具备高可靠性和长寿命,适合需要长时间稳定运行的工业和电力系统。

应用

MDD95-08N1 B 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。例如,在电机驱动器和变频器中,该模块用于实现高效的电机控制,提高系统效率并减少能耗。在不间断电源(UPS)系统中,MDD95-08N1 B可作为主开关元件,确保在电网故障时快速切换电源,保障关键设备的持续运行。
  此外,该模块在焊接设备中被广泛使用,用于控制焊接电流和电压,提供稳定的输出性能。在感应加热系统中,MDD95-08N1 B可作为高频开关元件,实现高效的能量转换和温度控制。在工业电源和DC-DC转换器中,该模块能够提供高效率和稳定的输出,适用于各种工业自动化和测试设备。
  由于其高耐压和高电流能力,MDD95-08N1 B也适用于太阳能逆变器、风力发电变流器以及电动汽车充电系统等新能源应用。这些应用需要高可靠性、高效率和高功率密度的功率开关器件,以确保系统长期稳定运行。

替代型号

IXFN90N80Q, FQA90N80, STW90N80Z

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