MDD5N40RH 时间：2025/7/25 15:09:42 阅读：28

MDD5N40RH 是一款由MagnTek（麦格微）推出的高性能、低功耗的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、电机驱动和LED照明等领域。该器件采用先进的高压工艺制造，具备优良的热稳定性和高可靠性。MDD5N40RH 属于N沟道增强型MOSFET，具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适合在中高功率应用中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：400V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：5A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值1.2Ω
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

MDD5N40RH MOSFET具备多项优异特性，使其在多种电子应用中表现出色。首先，其高达400V的漏源电压（VDS）使其能够承受较高的电压应力，适用于AC-DC转换器、开关电源等高压应用场景。其次，该器件的导通电阻RDS(on)典型值为1.2Ω，有效降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　此外，MDD5N40RH采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，能够在较高工作电流下保持稳定运行。该封装形式也便于PCB布局和自动化装配，适用于现代电子制造工艺。
　　该MOSFET的栅源电压范围为±20V，具备较强的栅极驱动能力，适用于多种驱动电路。同时，其工作温度范围为-55℃至+150℃，具备良好的环境适应性，可在恶劣温度条件下稳定运行。
　　在可靠性方面，MDD5N40RH经过严格的工艺和测试流程，具备优异的抗静电能力和热稳定性，适用于长时间连续工作的工业级应用。

应用

MDD5N40RH广泛应用于多个电子系统领域。在电源管理方面，该器件常用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器和DC-DC转换器中，作为主开关器件使用，其低导通电阻和高耐压能力可有效提升电源效率并降低系统发热。
　　在电机驱动应用中，MDD5N40RH可用于H桥电路或PWM控制电路，实现对直流电机或步进电机的高效控制。此外，在LED照明系统中，该MOSFET可用于恒流驱动电路，确保LED稳定发光并延长使用寿命。
　　该器件还适用于工业自动化设备、家用电器、充电器、适配器以及智能电表等需要高压、中功率开关控制的场合。