您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MDD5N40RH

MDD5N40RH 发布时间 时间:2025/7/25 15:09:42 查看 阅读:26

MDD5N40RH 是一款由MagnTek(麦格微)推出的高性能、低功耗的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、开关电源、电机驱动和LED照明等领域。该器件采用先进的高压工艺制造,具备优良的热稳定性和高可靠性。MDD5N40RH 属于N沟道增强型MOSFET,具有较高的耐压能力和较低的导通电阻,适合在中高功率应用中使用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):400V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):5A
  导通电阻(RDS(on)):典型值1.2Ω
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

MDD5N40RH MOSFET具备多项优异特性,使其在多种电子应用中表现出色。首先,其高达400V的漏源电压(VDS)使其能够承受较高的电压应力,适用于AC-DC转换器、开关电源等高压应用场景。其次,该器件的导通电阻RDS(on)典型值为1.2Ω,有效降低了导通损耗,提高了系统效率。
  此外,MDD5N40RH采用TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热性能,能够在较高工作电流下保持稳定运行。该封装形式也便于PCB布局和自动化装配,适用于现代电子制造工艺。
  该MOSFET的栅源电压范围为±20V,具备较强的栅极驱动能力,适用于多种驱动电路。同时,其工作温度范围为-55℃至+150℃,具备良好的环境适应性,可在恶劣温度条件下稳定运行。
  在可靠性方面,MDD5N40RH经过严格的工艺和测试流程,具备优异的抗静电能力和热稳定性,适用于长时间连续工作的工业级应用。

应用

MDD5N40RH广泛应用于多个电子系统领域。在电源管理方面,该器件常用于开关电源(SMPS)、AC-DC转换器和DC-DC转换器中,作为主开关器件使用,其低导通电阻和高耐压能力可有效提升电源效率并降低系统发热。
  在电机驱动应用中,MDD5N40RH可用于H桥电路或PWM控制电路,实现对直流电机或步进电机的高效控制。此外,在LED照明系统中,该MOSFET可用于恒流驱动电路,确保LED稳定发光并延长使用寿命。
  该器件还适用于工业自动化设备、家用电器、充电器、适配器以及智能电表等需要高压、中功率开关控制的场合。

替代型号

MDD6N40EH, MDD4N40RH, FQP5N40C, IRF740, STP5NK40Z

MDD5N40RH推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价