时间：2025/9/12 14:39:32
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MDD4N20YRH是一款由MDD（Microdiode）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等高功率电子系统中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的工业级应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：200V
最大漏极电流（Id）：4A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.5Ω（在Vgs=10V）
栅极电压范围（Vgs）：±20V
最大功耗（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
MDD4N20YRH采用先进的沟槽式MOSFET结构，具备较低的导通电阻，从而减少导通损耗并提高系统效率。该器件的耐压能力达到200V，能够承受较高的电压应力，适用于各种中高功率应用。其TO-252（DPAK）封装形式具备良好的散热性能，确保在高负载条件下依然保持稳定的运行。
该MOSFET在栅极驱动方面具有宽泛的电压范围（±20V），兼容常见的驱动电路设计，并具备良好的抗干扰能力。此外，MDD4N20YRH在高温环境下仍能保持稳定的工作性能，其工作温度范围可达-55°C至+150°C，适用于严苛的工业环境。
该器件还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统的能效。由于其低寄生电容和优化的栅极设计，MDD4N20YRH在高频开关应用中表现出色，适合用于DC-DC转换器、同步整流器和电源管理模块。
MDD4N20YRH广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动器以及工业控制设备。由于其具备良好的热稳定性和高可靠性，该器件特别适用于对性能和稳定性要求较高的工业和汽车电子系统。
STP4NK20Z、FDPF4N20、IRF4N20、FQA4N20、MDD4N20YR
