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MDD44-12N1B 发布时间 时间:2025/8/6 12:43:45 查看 阅读:112

MDD44-12N1B 是一款由MDD(Microsemi,现为L3Harris Technologies的一部分)生产的功率模块,属于绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块系列。该模块专为高功率应用设计,具备较高的耐压能力和电流承载能力,适合在工业电机控制、逆变器、电力电子变换器等场景中使用。MDD44-12N1B采用模块化封装技术,集成了多个IGBT芯片和反向并联的二极管芯片,提供了良好的热性能和电气绝缘性能。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):44A
  短路耐受能力:典型值为10μs
  最大工作温度:150°C
  封装类型:模块封装,带绝缘底板
  引脚数量:7个主电路引脚 + 若干控制引脚
  导通压降(VCE_sat):约2.1V(典型值,IC=44A)
  二极管正向压降(VF):约2.3V(典型值)
  最大结温:150°C
  绝缘等级:符合UL认证,爬电距离和电气间隙满足IEC标准

特性

MDD44-12N1B IGBT模块具有多项优异的电气和热性能。其1200V的击穿电压使其适用于中高压应用,如工业电机驱动和变频器系统。该模块支持高达44A的连续集电极电流,同时具备良好的短路耐受能力,能够在瞬态过载条件下保持稳定运行。
  该模块采用了先进的IGBT芯片技术和优化的封装设计,确保了较低的导通压降和开关损耗,从而提高系统的整体能效。内置的快速恢复二极管(FRD)具有较低的正向压降和反向恢复损耗,进一步提升了模块在高频开关应用中的性能。
  MDD44-12N1B的封装设计具备良好的热传导能力,能够有效将芯片产生的热量传递至散热器,确保模块在高温环境下仍能稳定运行。此外,模块的封装结构具备良好的电气绝缘性能,符合UL和IEC标准,适用于对安全性和可靠性要求较高的工业设备。
  模块的引脚布局设计合理,便于PCB布线和安装,减少了电磁干扰(EMI)的影响。整体结构坚固耐用,能够在严苛的工业环境中长期稳定运行。

应用

MDD44-12N1B广泛应用于各种中高压功率变换系统中,例如工业电机驱动器、变频器、UPS不间断电源、电焊机、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及各类工业自动化设备。其高可靠性和良好的电气性能使其成为工业控制和能源转换领域的理想选择。
  在电机控制应用中,MDD44-12N1B可作为三相逆变器的核心功率器件,实现对交流电机的高效调速和转矩控制。在UPS系统中,该模块可用于DC/AC逆变环节,确保市电中断时的无缝供电切换。在新能源领域,该模块可用于光伏逆变器和储能系统的功率变换部分,实现高效的能量转换和管理。
  此外,MDD44-12N1B也可用于高频感应加热设备、电焊机等需要高功率密度和快速开关能力的电力电子系统中。其良好的短路保护能力和热稳定性使其在这些高要求的应用中表现出色。

替代型号

SKM45GB12T4, FGA40N120D, FF45R12RT4

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MDD44-12N1B参数

  • 标准包装6
  • 类别半导体模块
  • 家庭二极管,整流器
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.6V @ 200A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10mA @ 1200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)64A
  • 电压 - (Vr)(最大)1200V(1.2kV)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型标准
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对串联
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳TO-240AA
  • 供应商设备封装TO-240AA
  • 包装散装