时间：2025/6/19 19:10:01
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MDD3754RH是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。其低导通电阻和高开关速度使其在效率要求较高的应用中表现出色。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：16A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：39nC
开关时间：ton=19ns, toff=38ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
MDD3754RH具有极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提高整体效率。此外，其快速的开关特性和低栅极电荷设计有助于减少开关损耗。该器件具备良好的热稳定性和鲁棒性，适用于恶劣的工作环境。
它还拥有较小的封装尺寸，便于PCB布局设计，并且具备短路保护功能，增强了系统的可靠性。
MDD3754RH适用于多种电力电子应用场合，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源(SMPS)
- 电机驱动与控制
- DC-DC转换器
- 电池管理系统(BMS)
- LED驱动电路
- 工业自动化设备
由于其高效率和高可靠性，该器件特别适合需要长时间稳定运行的应用场景。
IRFZ44N, FQP16N06, AO3400
