MDD2605RH 时间：2025/7/12 0:04:59 阅读：38

MDD2605RH是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率切换的电路中。其低导通电阻和高击穿电压特性使其成为高性能功率管理应用的理想选择。
　　这款MOSFET具有良好的开关特性和较低的栅极电荷，能够有效减少开关损耗，同时支持高频操作。此外，它还具备雪崩击穿能力和较高的电流承载能力，从而增强了器件在恶劣条件下的可靠性。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：5.8A
　　导通电阻：40mΩ
　　栅极电荷：13nC
　　总功耗：71W
　　工作结温范围：-55℃ to +150℃
　　封装形式：TO-220

特性

MDD2605RH的主要特点是其低导通电阻和高击穿电压的结合，这有助于提高效率并降低热耗散。
　　该器件的快速开关特性使其适合高频应用，并且其高雪崩能量能力确保了在过载或短路情况下的稳健性。
　　由于采用了标准的TO-220封装，它易于集成到各种设计中，同时也提供了良好的散热性能。
　　此外，MDD2605RH符合RoHS标准，确保环保合规性。

应用

MDD2605RH广泛应用于多种功率电子领域，包括但不限于开关模式电源（SMPS）、电机控制与驱动、逆变器、LED驱动器以及电池管理系统等。
　　其高效率和散热性能也使得该MOSFET在便携式设备及工业控制系统中有出色表现。
　　特别是在需要大电流输出和快速开关速度的应用场景中，例如DC-DC转换器和负载切换电路，MDD2605RH都能提供可靠的解决方案。