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MDD172-14N1 发布时间 时间:2025/8/6 11:06:05 查看 阅读:29

MDD172-14N1是一种高功率双极型晶体管(BJT),主要设计用于高频率和高功率应用。该器件由德国公司Mitsubishi Electric生产,广泛应用于射频(RF)放大器、工业加热设备、通信系统以及雷达设备中。MDD172-14N1具有良好的热稳定性和高功率增益,能够在苛刻的环境下稳定工作。

参数

类型:NPN型双极晶体管
  最大集电极-发射极电压:140V
  最大集电极电流:17A
  最大功耗:200W
  工作温度范围:-65°C至+150°C
  封装类型:TO-220AB
  增益带宽积:150MHz
  电流增益(hFE):在25°C时典型值为50
  输出功率:在175MHz时典型值为175W

特性

MDD172-14N1是一款专为高功率射频放大设计的晶体管,其结构采用了先进的硅双极工艺,提供了优异的热管理和高频性能。该晶体管的TO-220AB封装形式有助于快速散热,确保在高功率输出时仍能保持稳定的工作温度。此外,MDD172-14N1具有较高的线性度和低失真特性,使其适用于要求高保真度的射频信号放大场合。该器件的高电流承载能力(最大17A)和140V的最大集电极-发射极电压使其能够承受较大的负载波动,适用于多种高功率电子系统。
  这款晶体管还具有良好的抗过载能力,能够在瞬态条件下保持稳定。其工作温度范围从-65°C到+150°C,表明其适用于广泛的环境条件,包括工业和军事应用。MDD172-14N1的电流增益(hFE)在25°C时为50,虽然增益不是特别高,但由于其高功率处理能力,它在射频放大器设计中仍然非常受欢迎。此外,该晶体管的150MHz增益带宽积使其能够适用于UHF频段的放大应用。

应用

MDD172-14N1广泛应用于高功率射频放大器、工业加热设备、雷达系统、通信基站、射频测试设备以及广播发射器等。由于其优异的功率处理能力和高频性能,该晶体管也常用于业余无线电设备和专业通信系统中的末级功率放大器。此外,MDD172-14N1也可用于高频开关电源和功率控制电路。

替代型号

MDD172-14N1的替代型号包括MRF151G、BLF177、以及NTE396。

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MDD172-14N1参数

  • 标准包装6
  • 类别半导体模块
  • 家庭二极管,整流器
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.15V @ 300A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电20mA @ 1400V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)190A
  • 电压 - (Vr)(最大)1400V(1.4kV)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型标准
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对串联
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳Y4-M6
  • 供应商设备封装Y4-M6
  • 包装散装