时间：2025/8/5 13:50:34
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MDD161-08N1 是一款功率MOSFET模块，广泛用于需要高效功率转换的应用。这款器件由Mitsubishi Electric生产，属于IGBT（绝缘栅双极晶体管）和MOSFET混合模块的一种，适用于高电压和高电流环境。该模块设计用于工业电机控制、电源转换系统、UPS（不间断电源）和电焊设备等高功率应用。
类型：功率MOSFET模块
最大漏极电流：160A
最大漏源电压：800V
封装类型：模块封装
工作温度范围：-40°C 至 150°C
栅极驱动电压：10V - 20V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.18Ω
封装尺寸：依据制造商规格
MDD161-08N1具有低导通电阻，可减少功率损耗，提高效率。其模块设计提供了更高的可靠性和耐久性，适合于高要求的工业环境。该器件还具备快速开关能力，能够支持高频操作，从而减小外部滤波器的尺寸。此外，它还具有良好的热性能，能够在高温条件下保持稳定运行。MDD161-08N1采用模块化封装，便于安装和散热管理，同时也提高了系统的整体安全性。
MDD161-08N1的栅极驱动电压范围较宽，允许用户根据具体需求调整驱动条件，从而优化开关性能和效率。这种灵活性使其适用于多种功率转换系统，包括变频器和直流-直流转换器。模块内部集成的MOSFET和IGBT元件经过优化，确保了器件在高负载条件下的稳定性和效率。
此外，MDD161-08N1还具备良好的抗过载和短路能力，能够在极端条件下提供保护。这使得它在需要高可靠性和稳定性的应用中表现出色，例如电焊机和UPS系统。模块的封装设计也确保了良好的电气隔离，减少了电磁干扰（EMI），提高了系统的兼容性。
MDD161-08N1主要应用于工业电机控制、变频器、UPS（不间断电源）、电焊设备以及直流-直流功率转换系统等高功率场合。
MDD161-08N1-A、MDD161-08N1B、MDD161-08NK
