晶体管类型：双极型 NPN 晶体管（2 个独立晶体管）
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　增益（hFE）：110 - 800（根据电流和型号不同）
　　频率响应（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

MDD161-02N1 的核心特性之一是其高增益性能，这使其在低噪声放大电路中表现出色。两个独立的晶体管可以分别用于不同的信号路径，从而实现更高的设计灵活性。该器件的低噪声特性使其非常适合用于音频放大器和前置放大器电路。此外，MDD161-02N1 具有良好的频率响应，能够在高达 100 MHz 的频率下稳定工作，因此也可用于射频（RF）应用中的信号处理。
　　该晶体管阵列的封装设计为表面贴装型（如 SO-8），适用于自动化装配和高密度 PCB 布局。其热性能和电气性能在宽温度范围内保持稳定，确保在各种工作环境下的可靠性。MDD161-02N1 还具有较低的饱和压降，有助于减少功耗和发热，提高整体系统效率。
　　此外，MDD161-02N1 在设计上采用了优化的硅基工艺，确保了器件的长期稳定性和一致性。这使其成为工业控制、消费电子和通信设备中常用的晶体管阵列之一。

MDD161-02N1 主要用于需要高增益、低噪声和高频响应的模拟电路中。常见的应用包括音频放大器、前置放大器、信号调理电路、模拟开关、射频信号处理、振荡器和滤波器设计等。此外，该器件也可用于传感器接口电路、电压调节器和数字逻辑电路中的开关元件。由于其两个晶体管的独立性，MDD161-02N1 特别适合用于差分放大器、推挽放大器和多级放大电路的设计。

MDD161-02N1 的替代型号包括 BC847B 和 BC847C，它们在增益、频率响应和封装方面具有相似的性能。其他可能的替代品包括 2N3904 和 2N2222，尽管它们是单晶体管，但可以通过使用两个独立器件实现类似功能。