时间：2025/8/5 13:39:56
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MDD132-02N1 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的功率 MOSFET 模块。该器件主要用于高功率开关应用，如电源转换、电机控制、逆变器和不间断电源（UPS）系统。MDD132-02N1 采用双列直插式封装（DIP），内部集成了两个N沟道增强型MOSFET，具备低导通电阻、高耐压和高电流能力，适用于工业自动化、电力电子设备和高可靠性系统。该模块设计上注重散热性能和电气隔离，能够提供稳定、高效的功率控制功能。
类型：功率MOSFET模块
结构：双N沟道增强型MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：200V
连续漏极电流（ID）：120A（每个器件）
导通电阻（RDS(on)）：典型值 0.018Ω
封装形式：DIP模块
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
隔离电压：2500Vrms（模块与散热器之间）
安装方式：通孔（Through Hole）
热阻（Rth）：0.25°C/W（结到外壳）
MDD132-02N1 是一款高性能功率MOSFET模块，具有优异的导通性能和耐压能力。其双MOSFET结构设计使其适用于桥式电路或双路开关应用，能够提供高达120A的连续漏极电流，满足高功率需求。该模块的低导通电阻（RDS(on)）仅为0.018Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
该器件采用了先进的封装技术，确保了良好的散热性能和电气隔离。其模块外壳与内部电路之间具备2500Vrms的隔离电压，适用于高电压和高安全要求的应用场景。此外，模块的热阻仅为0.25°C/W，确保在高功率运行时仍能保持较低的结温，提升系统稳定性。
MDD132-02N1 的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适应各种恶劣工作环境，包括工业控制、电源变换和高可靠性系统。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热管理能力，该模块在电机驱动、DC/DC转换器和逆变器中表现出色。
MDD132-02N1 广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的电子系统中。其主要应用场景包括工业电机驱动、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）电路、DC/DC转换器、逆变器、焊接设备和高频电源系统。此外，该模块也适用于需要电气隔离的高电压控制系统，如自动化生产线设备和高功率LED照明电源。
IXYS IXFN120N20T、STMicroelectronics STW120N200K、Infineon IPP120N200C7、ON Semiconductor NVMS120N20CLFTWG
