类型：MOSFET模块
　　额定电压：1200V
　　额定电流：800A
　　导通电阻：18mΩ（最大）
　　封装形式：双列直插式封装（DIP）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　栅极驱动电压：+15V/-15V
　　短路耐受能力：5μs（典型值）
　　绝缘等级：符合IEC 60146-1标准

MDA810-18N1 MOSFET模块以其卓越的性能和可靠性著称。该模块的核心特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。其1200V的额定电压和800A的额定电流使其能够胜任高功率应用的需求。
　　该模块采用先进的封装技术，具有良好的热管理和散热能力，能够在高负载条件下保持稳定的工作温度。此外，MDA810-18N1 还具有较强的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，这使得它在电力系统和工业设备中具有很高的可靠性。
　　另一个显著的特性是其栅极驱动设计，支持+15V/-15V的驱动电压，这种设计有助于提高开关速度并减少开关损耗。此外，模块的封装设计也确保了良好的电气隔离和机械强度，适用于多种严苛环境下的应用。
　　在实际应用中，MDA810-18N1模块通常用于电力电子变换器、电机驱动器、可再生能源系统（如太阳能逆变器）以及工业自动化设备等。其高效能和高可靠性的设计，使其成为许多高功率电子系统中的关键组件。

MDA810-18N1 MOSFET模块广泛应用于多个领域，包括但不限于电力电子变换器、高性能电机驱动器、工业自动化设备、可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电变流器）、不间断电源（UPS）系统以及电动汽车充电设备等。其高效的电能转换能力和高可靠性使其成为许多高功率应用的理想选择。

SKM800GB12T4, FF800R12KT4