型号：MDA510-18N3
　　类型：隔离式MOSFET驱动器
　　电源电压范围：18V
　　输出驱动电流：最高可达1.5A
　　传播延迟：典型值55ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：＞50kV/μs
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　封装类型：16引脚SSOP
　　隔离耐压：5kVrms（1分钟）
　　输出配置：双路输出（半桥）
　　最大工作频率：1MHz

MDA510-18N3 的核心优势在于其集成的隔离技术，采用Microsemi的专利工艺，能够在高电压与高噪声环境下提供稳定可靠的驱动性能。该器件内置两个独立的栅极驱动通道，适用于半桥拓扑结构，广泛用于DC-AC逆变器、DC-DC转换器以及功率因数校正模块。其5kVrms的隔离等级确保了在高压系统中操作人员与设备的安全性。
　　此外，MDA510-18N3 具有出色的抗共模干扰能力（CMTI＞50kV/μs），使其在高dv/dt环境中仍能保持稳定工作。该芯片还具备欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于设定阈值时会自动关闭输出，防止MOSFET发生误导通或损坏。其低传播延迟（典型55ns）和匹配的通道延迟差异（小于5ns）使得系统可以实现高精度的同步控制，从而提高整体效率并减少开关损耗。

MDA510-18N3 主要用于需要隔离式栅极驱动的高功率系统中，例如工业电机驱动器、UPS不间断电源、光伏逆变器、电动汽车充电设备、功率因数校正模块、DC-DC转换器以及各类工业自动化控制设备。其高隔离电压和优异的抗干扰性能也使其在医疗电源、测试设备和高可靠性工业系统中得到广泛应用。

Si8261BB-D-ISR, UCC21520DWPG4, ADuM3223BRZ, IRS2104S