型号：MD8282A/B
　　制造商：Microchip Technology
　　封装类型：28-DIP, 28-PLCC
　　工作电压：+5V ±5%
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　最大时钟频率：8 MHz
　　输入电平兼容性：TTL/CMOS
　　输出驱动能力：标准LSTTL兼容
　　存储器类型支持：Dynamic RAM (DRAM)
　　地址多路复用支持：支持
　　RAS/CAS 控制输出：有
　　片选信号生成：支持
　　刷新定时器：内置自动刷新逻辑
　　数据总线宽度：双向三态控制
　　引脚数量：28
　　功耗典型值：150 mW @ 5V
　　封装尺寸：标准DIP或PLCC尺寸
　　安装类型：通孔或表面贴装

MD8282A/B的核心特性之一是其高度集成的DRAM接口管理能力，能够在无需外部复杂逻辑电路的情况下完成微处理器与动态存储器之间的完整通信协议转换。该芯片内置完整的地址多路复用机制，可将来自CPU的单一地址总线分离为行地址与列地址，并通过精确时序控制生成RAS和CAS信号，确保DRAM单元的正确读写操作。这种自动化的地址处理方式显著降低了系统设计难度，尤其适合资源有限的小型嵌入式平台。
　　另一个关键特性是其灵活的总线时序适配能力。MD8282A/B可根据不同的微处理器类型（如8085、8086、Z80）自动调整读写脉冲宽度、建立时间和保持时间，保证与多种主流处理器无缝对接。这一特性使得它成为多平台兼容系统中的理想选择，尤其是在需要跨架构移植或升级的老化设备改造项目中表现出色。
　　该器件还具备强大的刷新管理功能。DRAM需要定期刷新以维持数据完整性，而MD8282A/B内置了可编程刷新计数器，能够按照预设周期发起刷新请求，避免因漏刷新导致的数据丢失问题。用户可通过外接时钟源或利用系统主频分频来设定刷新间隔，灵活性强且配置简便。
　　此外，MD8282A/B采用了低功耗CMOS工艺制造，在保证高速响应的同时将静态与动态功耗控制在合理范围内，适用于对散热和能耗敏感的应用环境。其输出端具备三态缓冲功能，能够有效隔离总线冲突，提升系统的整体稳定性与抗干扰能力。
　　最后，该芯片具有优异的工业级可靠性，经过严格的老化测试和ESD防护设计，可在恶劣电磁环境下长期稳定运行。所有控制信号均带有滤波和去抖动电路，防止误触发，进一步增强了系统的鲁棒性。

MD8282A/B主要应用于需要连接动态存储器但又希望简化硬件设计的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业控制主机板、数控机床（CNC）控制器、自动化测试设备（ATE）、老式通信交换机和路由器模块等。在这些系统中，由于往往采用成熟的8位或16位微处理器架构，直接驱动DRAM会增加外围电路复杂度，而使用MD8282A/B可以大幅减少所需的支持芯片数量，降低PCB布线难度并提高整机可靠性。
　　在医疗设备领域，某些长期服役的监护仪、影像采集终端或实验室分析仪器也采用该芯片作为内存控制器，因其具备长期供货保障和经过验证的稳定性，符合医疗行业对安全性和可维护性的严苛要求。
　　此外，MD8282A/B常用于军事和航空航天领域的备件替换与系统延寿工程中。许多早期设计的航空电子系统基于8086或Z80架构，随着原厂停产相关配套芯片，MD8282A/B凭借其宽温工作能力和高抗干扰性能，成为关键的替代解决方案。
　　教育和科研机构亦将其用于计算机体系结构教学实验平台，帮助学生理解DRAM工作原理、总线时序控制和存储器刷新机制。由于其内部逻辑清晰、外部接口直观，非常适合用于搭建基础级存储子系统原型。
　　在工业自动化升级改造过程中，MD8282A/B也被广泛用于PLC扩展模块和远程I/O单元中，实现本地数据缓存功能，从而提升响应速度与系统吞吐量。

MM58282N
　　DS8282A
　　ICS8282B
　　CS8282A