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MD8251A C 发布时间 时间:2025/4/28 9:52:11 查看 阅读:3

MD8251A C 是一种高性能的射频功率晶体管,广泛应用于高频放大器和无线通信设备中。该器件采用先进的半导体制造工艺,能够在高频条件下提供高增益、高效率和良好的线性度。它适用于各种射频功率放大场景,如基站、无线电通信系统以及测试测量设备等。

参数

型号:MD8251A C
  类型:射频功率晶体管
  频率范围:30 MHz 至 1 GHz
  最大输出功率:40 W
  增益:15 dB(典型值)
  工作电压:28 V
  静态电流:6 A(最大值)
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C

特性

MD8251A C 的主要特点是其在高频段下的出色表现,具体包括:
  1. 高功率输出能力,在整个频率范围内可稳定提供高达40W的功率。
  2. 优异的线性度和低失真性能,能够满足现代通信系统的严格要求。
  3. 内部匹配网络优化设计,简化了外部电路的设计复杂度。
  4. 良好的散热性能,得益于大尺寸金属封装,可以有效降低热阻,提高长期工作的可靠性。
  5. 高效率的能量转换,减少了功耗和热量产生,从而提升了整体系统的效能。

应用

MD8251A C 主要应用于以下领域:
  1. 射频功率放大器模块,用于提升信号强度以覆盖更广区域。
  2. 无线通信基础设施,例如蜂窝基站和中继站。
  3. 测试与测量仪器,为信号源或功率放大提供稳定的输出。
  4. 工业、科学及医疗设备中的射频能量传输部分。
  5. 业余无线电爱好者制作高性能发射机时作为核心功率放大部分使用。

替代型号

MD8251B, MRF8251

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