MD8237A/B 时间：2025/12/26 17:03:05 阅读：16

MD8237A/B是Microchip Technology公司推出的一款高性能、低功耗的双通道隔离式栅极驱动器芯片，广泛应用于需要高电压隔离和高可靠性的功率电子系统中。该器件专为驱动MOSFET、IGBT以及SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）等宽禁带功率半导体器件而设计，适用于工业电机控制、开关电源（SMPS）、光伏逆变器、电动汽车充电系统以及不间断电源（UPS）等高要求的应用场景。MD8237A/B采用Microchip独有的浮动井技术（Floating Well Technology），实现了输入与输出之间的电气隔离，隔离电压可达5000 VRMS，符合UL1577、IEC 60747-5-5等国际安全标准，确保在高压环境下系统的安全性和稳定性。
　　该芯片提供两种版本：MD8237A 和 MD8237B，主要区别在于传播延迟和响应速度特性，其中MD8237B具有更快的响应时间，适用于更高频率的开关操作。器件采用SOIC-16宽体封装或类似小型化封装形式，便于PCB布局并节省空间。其输入端兼容标准CMOS/TTL电平，无需额外的电平转换电路，简化了与微控制器、DSP或PWM控制器的接口设计。此外，MD8237A/B内置了多种保护机制，如欠压锁定（UVLO）、米勒钳位（Miller Clamp）和短路保护功能，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。

参数

型号：MD8237A/B
　　通道数：2
　　隔离电压：5000 VRMS
　　工作电压（VDD1）：3.0V 至 5.5V
　　工作电压（VDD2）：10V 至 30V
　　峰值输出电流：2.5A
　　传播延迟：50ns（典型值）
　　上升时间：15ns（典型值）
　　下降时间：10ns（典型值）
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：150kV/μs（最小值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-16 Wide Body
　　输入逻辑类型：CMOS/TTL 兼容

特性

MD8237A/B具备卓越的电气隔离性能，采用先进的电容隔离技术，在输入侧与输出侧之间构建了高效且可靠的隔离屏障，能够承受高达5000 VRMS的隔离电压，并满足UL、CSA、IEC等多个国际安全认证标准，适用于工业级和汽车级应用环境。其高共模瞬态抗扰度（CMTI）达到150kV/μs以上，有效防止在高噪声、高dV/dt环境中因共模干扰导致的误触发，保障驱动信号的完整性与准确性。该器件支持双独立通道配置，每个通道均可独立控制，适合半桥、全桥及多相拓扑结构中的上下管驱动需求。输出级采用图腾柱结构，具备快速充放电能力，可显著降低开关损耗，提升整体系统效率。
　　该芯片集成了完善的保护功能，包括次级侧欠压锁定（UVLO）监测，当电源电压低于设定阈值时自动关断输出，防止功率器件在非正常状态下工作；同时配备米勒钳位电路，在关断期间主动将栅极拉低，抑制因寄生电容耦合引起的误导通现象，特别适用于高频高压开关应用。此外，MD8237A/B具有极低的传播延迟和通道间延迟匹配特性，确保上下管驱动信号的高度同步性，减少死区时间误差，提高PWM控制精度。其输入接口兼容3.3V和5V逻辑电平，无需外加电平转换器即可直接连接MCU或数字控制器，简化系统设计。整个芯片经过优化设计，具有低静态功耗和高抗干扰能力，即使在恶劣电磁环境下也能稳定运行。

应用

MD8237A/B广泛用于各类需要高可靠性隔离驱动的电力电子系统中。在工业自动化领域，常用于伺服驱动器、变频器和电机控制器中驱动IGBT模块，实现对交流电机的精确调速与控制。在新能源领域，该器件被广泛应用于太阳能光伏逆变器中，作为DC-AC转换桥臂的驱动核心，支持高效能量转换并增强系统安全性。在电动汽车基础设施方面，可用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的功率级驱动电路，配合SiC或GaN器件实现高频高效运行。此外，在通信电源、服务器电源等高端开关电源（SMPS）设计中，MD8237A/B用于LLC谐振变换器或有源钳位反激拓扑中的同步整流或主开关驱动，提升电源效率与功率密度。由于其出色的隔离性能和热稳定性，也适用于医疗设备电源、智能电网设备以及轨道交通中的牵引逆变系统。