时间：2025/10/30 9:14:13
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MD51C64HL-15/B是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的高性能动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于快速页面模式DRAM（Fast Page Mode DRAM）系列。该器件广泛应用于需要中等容量、高可靠性和稳定性能的工业控制、通信设备以及嵌入式系统中。MD51C64HL-15/B采用标准的512K × 8位组织结构，总存储容量为4兆位（4Mbit），适用于需要直接内存访问和低延迟读写的传统系统设计。该芯片工作电压为5V，兼容TTL电平接口，便于与多种微处理器和控制器无缝连接。其封装形式为30-pin SOJ（Small Outline J-leaded Package），具有良好的散热性能和抗干扰能力，适合在工业级温度范围内稳定运行。作为一款经典的异步DRAM产品，MD51C64HL-15/B在许多老旧但仍在服役的设备中仍发挥着重要作用，尤其在替换维修或系统升级场景下具有较高的市场需求。
型号：MD51C64HL-15/B
制造商：Renesas Electronics
存储类型：DRAM
存储结构：512K × 8 位
总容量：4 Mbit
工作电压：5V ± 10%
访问时间：150 ns
数据速率：约6.7 MB/s
供电电流：典型值 40 mA（待机），最大 100 mA（工作）
输入/输出电平：TTL 兼容
封装类型：30-pin SOJ
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚数量：30
刷新周期：8 ms（典型）
刷新模式：CAS Before RAS (CBR) 或 自刷新
是否需要外部刷新：是
MD51C64HL-15/B具备典型的异步DRAM架构特性，支持快速页面模式（Fast Page Mode, FPM），允许在同一行地址内连续读取多个列地址而无需重复激活行地址，从而显著提升数据传输效率。这种机制特别适用于需要批量数据读写的应用场景，如图像缓冲、数据采集和通信帧缓存等。其150ns的存取时间在同类FPM DRAM中属于中高端水平，能够在保持较高性能的同时兼顾功耗与稳定性。
该芯片采用CMOS制造工艺，结合双金属层布线技术，在确保高速操作的同时降低了功耗和热损耗。内部集成行/列地址锁存器和片上时钟生成电路，简化了外部控制逻辑设计。此外，它支持标准的RAS#（Row Address Strobe）、CAS#（Column Address Strobe）、WE#（Write Enable）和OE#（Output Enable）控制信号，能够与多种传统MPU和MCU（如8051、68000系列、Z80等）直接接口，无需额外的电平转换或协议适配电路。
MD51C64HL-15/B还具备自动预充电功能，并可通过CAS before RAS（CBR）方式实现动态刷新管理，有效防止数据丢失。其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于恶劣环境下的长期运行，例如工业自动化设备、远程通信基站和轨道交通控制系统。尽管现代系统更多采用SDRAM或DDR技术，但由于其成熟的设计、广泛的兼容性和较低的成本，该器件仍在维护现有设备和替代老旧DRAM模块方面具有不可替代的价值。同时，瑞萨电子持续提供技术支持和质量保障，确保其在生命周期内的可用性。
MD51C64HL-15/B主要应用于需要可靠、稳定的异步DRAM支持的传统嵌入式系统和工业设备。常见用途包括工业控制面板中的显示缓存、PLC（可编程逻辑控制器）的数据暂存区、老式数控机床的内存扩展模块、电信交换设备中的帧缓冲存储以及测试测量仪器中的临时数据存储单元。由于其TTL电平兼容性和标准控制接口，该芯片也常用于教育实验平台和微机原理教学系统中，帮助学生理解DRAM的工作机制和内存控制器的设计原理。
在通信领域，该器件可用于E1/T1线路接口卡、调制解调器和路由器等设备中，作为协议处理过程中的中间数据缓冲区。此外，在一些军用或航空航天领域的老旧系统维护中，MD51C64HL-15/B因其长期供货保证和高可靠性而被用于替换失效的原始DRAM组件。虽然不具备现代同步DRAM的高带宽特性，但在对成本敏感且不需要极高数据吞吐率的应用中，该芯片依然表现出良好的性价比和系统稳定性。
IS42S16100D-6BLI
