型号：MD28F010-25/B
　　制造商：Fujitsu
　　存储容量：1 Mbyte (128K x 8)
　　电压范围：5V ± 10%
　　访问时间：250 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：40-pin DIP 或 TSOP
　　接口类型：并行接口（x8）
　　编程电压：单电源5V
　　擦除方式：扇区擦除 / 芯片擦除
　　写入/擦除耐久性：100,000 次
　　数据保持时间：10 年以上
　　待机电流：典型值 100 μA
　　读取电流：典型值 30 mA

MD28F010-25/B 具备多项关键特性，使其在嵌入式系统和工业应用中表现出色。首先，该芯片采用单5V电源供电进行读取、编程和擦除操作，避免了传统EEPROM所需的额外高压编程电源，简化了系统电源设计，降低了整体成本和复杂度。其内部集成了编程和擦除所需的高压发生器，所有写入操作均可通过标准5V逻辑电平控制，极大提升了使用的便利性和兼容性。
　　其次，该器件支持灵活的擦除模式，包括整片擦除和按扇区（sector）擦除。整个存储阵列被划分为多个可独立擦除的扇区（例如一个主扇区和多个较小的保护扇区），这种结构允许用户对部分数据进行更新而不影响其他区域的内容，特别适用于需要频繁更新固件但保留配置信息的应用场景。此外，扇区保护功能可通过软件命令启用，防止意外写入或擦除关键代码区域，增强了系统的数据安全性。
　　再者，MD28F010-25/B 提供较高的写入耐久性和长期数据保持能力。每个存储单元可承受高达10万次的擦写周期，在正常使用条件下数据可保存超过10年，确保了在工业环境下的长期稳定运行。其CMOS工艺设计还带来了较低的功耗表现，待机模式下电流消耗极低，适合对功耗敏感的应用。
　　该芯片具备良好的温度适应性，规定的工作温度范围为0°C至+70°C，满足大多数商用和工业级应用的需求。同时，其250ns的访问时间提供了足够的响应速度，适用于中等性能要求的微控制器系统。内置的状态寄存器可提供编程和擦除操作的完成状态反馈，支持轮询或中断方式监控操作进度，提升系统控制的可靠性。
　　最后，MD28F010-25/B 与工业标准的JEDEC Flash接口兼容，便于替换同类产品或进行系统升级。尽管当前已被更高密度、更快速度的串行闪存或新型NOR Flash取代，但其稳定的性能和成熟的生态系统仍使其在维修、备件替换和老旧系统维护中具有不可替代的作用。

MD28F010-25/B 广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的电子系统中。在嵌入式控制系统中，它常用于存储微控制器的启动代码（Bootloader）、固件程序或设备配置参数，因其支持快速随机访问和现场可编程特性，非常适合需要频繁更新程序代码的工业设备。在网络通信设备如路由器、交换机和调制解调器中，该芯片用于保存设备的操作系统映像和配置文件，确保断电后数据不丢失，并支持远程固件升级。
　　在办公自动化设备领域，例如激光打印机、多功能一体机和传真机中，MD28F010-25/B 被用来存储打印引擎控制程序、字体库或用户设置信息。其扇区保护功能可以有效防止关键程序在异常断电或误操作时被破坏，提高设备的稳定性与可用性。在工业自动化和过程控制设备中，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和数据采集模块，该芯片承担着存储控制逻辑、校准数据和历史记录的任务，能够在恶劣环境下长期稳定运行。
　　此外，该器件也常见于测试测量仪器、医疗设备和POS终端等对数据完整性要求较高的场合。由于其并行接口设计，能够直接与8位或16位微处理器/微控制器连接，无需复杂的驱动电路，降低了系统开发难度。即使在当前串行闪存普及的背景下，MD28F010-25/B 仍在老旧设备维护、备件替换和特定兼容性需求项目中发挥着重要作用，尤其是在无法更换主控架构的升级项目中，成为保障系统延续性的关键元件。

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　　AMD AM29F010B
　　Intel TE28F010
　　EON EN29LV010A