时间：2025/10/29 21:06:49
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MD28F010-20/B是一款由Magnachip Semiconductor生产的并行接口的5V闪存存储器芯片，容量为1兆字节（即1M x 8位），属于单电源电压、可多次擦写和编程的非易失性存储器。该器件采用标准的CMOS工艺制造，具备高可靠性与耐用性，适用于需要持久数据存储且对成本敏感的应用场景。MD28F010-20/B支持工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），封装形式为32引脚PLCC（Plastic Leaded Chip Carrier），便于在多种嵌入式系统中进行表面贴装或插接安装。该芯片设计用于替代传统的EPROM，无需紫外线擦除，可通过电气方式实现字节级编程和扇区/整片擦除，极大提升了系统维护和固件升级的便利性。其主要特点包括内置编程电压生成电路、硬件写保护功能以及快速访问时间（典型值为200ns），确保系统在高速运行时仍能稳定读取存储内容。此外，该器件兼容JEDEC标准的引脚排列和命令集，方便用户进行系统设计迁移和软件开发。由于其成熟的技术方案和广泛的行业应用基础，MD28F010-20/B常被用于通信设备、工业控制、消费类电子产品以及汽车电子等领域中的固件存储任务。
型号：MD28F010-20/B
制造商：Magnachip Semiconductor
存储容量：1 Mbyte (1024 K x 8-bit)
电源电压：5V ±10%
访问时间：200ns
工作温度：-40°C 至 +85°C
存储温度：-65°C 至 +150°C
封装类型：32-pin PLCC
接口类型：并行接口（8位）
编程电压：内部电荷泵生成
擦除方式：扇区擦除 / 芯片整体擦除
写保护功能：硬件WP引脚支持
待机电流：≤100μA
工作电流：≤30mA（典型值）
输入/输出电平：TTL兼容
MD28F010-20/B具备出色的电气性能与操作灵活性，其核心特性之一是内置电荷泵电路，能够在仅需单一5V电源供电的情况下完成编程和擦除操作，无需外部提供额外的高电压编程电源（如传统EPROM所需的12V或更高电压）。这一设计显著简化了系统电源架构，降低了整体系统成本，并提高了设计的可靠性。
该芯片支持标准的JEDEC命令集，用户可通过向特定地址写入规定的指令序列来触发读取、编程或擦除操作，这种命令接口方式已被广泛应用于各类微控制器系统中，具有良好的软件兼容性和开发便利性。同时，器件提供了硬件写保护引脚（WP），当该引脚被拉低时，可防止意外的写入或擦除操作，有效保护关键固件不被误修改，增强系统的安全性与稳定性。
在耐久性和数据保持能力方面，MD28F010-20/B保证至少可进行10万次的擦写周期，并可在断电状态下可靠保存数据长达10年，满足大多数工业和商业应用场景的需求。其200纳秒的快速访问时间使得CPU能够高效地从闪存中读取程序代码，减少等待延迟，提升系统响应速度。
此外，该器件采用符合环保要求的材料与封装工艺，支持无铅焊接制程，适应现代电子制造对绿色环保的要求。由于其成熟的工艺和稳定的供货渠道，MD28F010-20/B成为许多老旧系统维护和替代升级中的首选型号之一。
MD28F010-20/B广泛应用于需要非易失性程序存储的嵌入式系统中。常见用途包括工业自动化控制系统中的PLC固件存储，用于保存启动代码和配置参数；在通信设备如路由器、交换机和调制解调器中作为Boot ROM使用，存储引导程序以实现设备上电自检与初始化；在消费类电子产品例如老式电视机、机顶盒和音频设备中存放主控MCU的执行代码；此外，在汽车电子模块（如仪表盘控制单元、车身控制模块）中也可见其身影，用于存储不变的控制逻辑和校准数据。
由于其并行接口结构，该芯片特别适合与8位或16位微处理器/微控制器直接连接，构成简洁高效的最小系统架构，常用于教学实验板、工控主板及仪器仪表等对成本和稳定性要求较高的场合。同时，在一些需要现场升级固件但不具备复杂存储管理单元（如无MMU或无外部存储控制器）的系统中，MD28F010-20/B因其简单易用的命令协议和可靠的电气特性而成为理想选择。随着Flash技术的发展，尽管新型串行SPI NOR Flash逐渐取代部分并行Flash市场，但在某些特定领域，尤其是涉及旧平台维护和备件替换时，MD28F010-20/B仍然具有不可替代的地位。
SST39SF010A-20/PF
AM28F010-200JC
Intel 28F010
