时间：2025/10/29 20:18:27
阅读：34
MD28F010-15/B是一款由Intel推出的高性能、低功耗的1兆位（128K x 8）并行接口闪存芯片，属于其早期商用Flash存储器产品线中的一员。该器件采用先进的E2PROM浮栅技术，结合了高可靠性、快速访问和非易失性数据存储能力，广泛应用于需要固件存储或程序代码保存的嵌入式系统中。MD28F010-15/B支持标准的+5V单电源供电，适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品以及计算机外围设备等对稳定性和耐用性有较高要求的应用场景。该芯片具备电可擦除和可重复编程特性，允许用户在系统内进行在线更新（In-System Programming），极大地提高了系统维护与升级的灵活性。
该型号中的“MD”通常代表制造商或系列标识，“28F”表示为Flash存储器，“010”指代1Mbit容量（即1024Kbit），而“-15”则表示其最大访问时间为150纳秒，适合中高速应用。“/B”后缀可能表示封装形式或特定的版本修订，例如窄体DIP或SOIC封装。MD28F010-15/B采用JEDEC标准引脚排列，兼容多种微处理器和控制器接口，方便设计人员进行替换与集成。此外，该芯片内置了写保护机制和内部状态检测逻辑，确保在编程和擦除操作期间的数据完整性与安全性。
类型：并行NOR Flash
容量：1 Mbit (128 Kbyte)
组织结构：128K x 8位
供电电压：5V ± 10%
访问时间：150 ns
工作温度范围：0°C 至 +70°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
封装形式：32引脚 DIP 或 PLCC
编程电压：内部电荷泵生成
待机电流：< 100 μA
工作电流：< 30 mA
写入/擦除耐久性：≥ 10,000 次
数据保持时间：≥ 10 年
MD28F010-15/B具备多项关键特性，使其成为当时嵌入式系统中理想的程序存储解决方案。首先，其150ns的快速读取访问时间满足了大多数8位和16位微控制器系统的时序需求，能够在不增加等待状态的情况下直接连接至系统总线，提升整体执行效率。其次，该芯片支持全芯片及扇区级别的电擦除功能，允许用户灵活地管理固件更新，例如仅修改部分配置区域而不影响其余代码内容，从而延长器件使用寿命并减少不必要的写操作。
该器件内置智能算法用于自动定时擦除和编程操作，无需外部精确控制信号，简化了软件驱动开发难度。同时，它提供硬件级写保护功能，通过将WE#（写使能）或 CE#（片选）信号拉高等方式防止意外写入，增强了现场运行的可靠性。此外，MD28F010-15/B集成了内部电荷泵电路，可在标准5V电源下完成编程和擦除所需的高压生成，无需额外提供Vpp编程电压，显著降低了系统设计复杂度与成本。
在可靠性方面，该芯片经过严格的老化测试与工艺控制，保证在恶劣工业环境下长期稳定运行。其数据保持能力超过10年，并可承受至少1万次的擦写循环，在当时的非易失性存储器中处于主流水平。Intel还为其提供了完整的命令集手册和编程指南，便于开发者实现自定义烧录流程或故障恢复机制。尽管该型号已逐步被更先进的低电压、小封装Flash所替代，但在老旧设备维护、军工或工业备件市场中仍具有一定的使用价值。
MD28F010-15/B主要用于需要可靠非易失性程序存储的各类电子系统中。典型应用场景包括工业自动化控制器中的固件存储，如PLC模块、HMI人机界面设备，其中要求长时间断电后仍能保留关键控制逻辑代码。在通信领域，该芯片常用于路由器、交换机或调制解调器的Boot ROM，用于存放启动引导程序，确保设备上电后能够正确初始化硬件并加载操作系统。
此外，该器件也广泛应用于消费类电子产品，例如老式打印机、扫描仪、POS终端和家用电器控制板，作为主控MCU的外挂程序存储器。由于其支持在线编程特性，使得制造商可以在生产线上快速烧录不同版本的软件，或在现场通过专用工具进行远程升级维护。在汽车电子中，虽然当前新型车辆多采用更高密度的存储方案，但部分早期车型的ECU（电子控制单元）或车载仪表系统也曾使用此类Flash芯片来存储标定数据或诊断程序。
在军事与航空航天领域，由于该芯片具备良好的温度适应性和抗干扰能力，某些加固型设备中依然保留使用该型号进行备份配置存储。此外，教育科研机构在教学实验平台或FPGA开发板中也会选用该类成熟稳定的器件，帮助学生理解存储器接口时序与嵌入式系统架构设计原理。随着表面贴装技术和小型化趋势的发展，这类通孔封装的Flash逐渐被BGA或WSON等新型封装取代，但在维修和替代场景下仍有实际需求。
AM28F010-150JC
