时间：2025/10/30 9:03:55
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MD27C64A-25/B是一款由Microchip Technology生产的高速CMOS 64K位（8K x 8）紫外线可擦除可编程只读存储器（UV-EPROM）。该器件广泛应用于需要非易失性程序或数据存储的嵌入式系统、工业控制设备以及老式计算机系统中。MD27C64A-25/B采用标准的28引脚DIP封装，兼容工业界常用的EPROM插座设计，便于在开发和调试阶段进行程序更新。该芯片通过紫外线照射其顶部的石英窗口来实现整体擦除，允许用户多次编程和修改存储内容，是原型开发和小批量生产中的理想选择。其工作电压为5V，适用于大多数TTL和CMOS逻辑电平系统，具备良好的电气兼容性。此外，该器件在待机模式下功耗极低，有助于降低系统整体能耗。
类型：UV-EPROM
容量：64Kbit (8K x 8)
组织结构：8192 x 8
工作电压：5V ± 10%
访问时间：25ns
封装类型：28-DIP
编程电压：Vpp = 12.5V 或 21V（根据版本）
工作温度范围：0°C 至 +70°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
擦除方式：紫外线擦除（典型曝光时间：15-20分钟，波长253.7nm）
输出驱动能力：扇出=2，驱动TTL负载
输入电平：TTL兼容
封装材质：陶瓷或塑料DIP（视具体后缀而定）
MD27C64A-25/B具有出色的性能稳定性和高可靠性，适用于长期运行的工业环境。其核心特性之一是25纳秒的快速存取时间，使得它能够在高频微处理器系统中作为程序存储器使用，显著提升系统响应速度。该器件采用先进的CMOS制造工艺，在保证高速操作的同时实现了极低的静态功耗，典型待机电流仅为30mA，有效延长了系统的使用寿命并降低了散热需求。
该芯片支持两种编程模式：12.5V Vpp和21V Vpp，用户可根据编程器支持情况选择合适的编程电压。内部集成的地址和数据锁存机制确保了在复杂电磁环境中仍能保持数据完整性。所有输入端均内置施密特触发器，增强了对噪声的抑制能力，提高了系统抗干扰性能。此外，器件具备高耐久性的编程/擦除周期，通常可承受超过1000次的紫外擦除和重复编程操作，适合频繁修改代码的开发场景。
为了防止未经授权的数据读取，MD27C64A-25/B提供了安全熔丝（Security Fuse）功能。一旦该熔丝被烧断，将禁止从芯片中读出程序内容，从而保护知识产权。这一特性在商业产品中尤为重要。同时，其陶瓷封装版本具备优异的气密性，能够防止湿气和污染物侵入，进一步提升在恶劣环境下的可靠性。尽管现代系统更多采用Flash存储器，但该器件因其稳定性与可预测性，仍在某些军工、航空航天及老旧设备维护领域持续使用。
MD27C64A-25/B主要用于需要可靠非易失性存储的应用场合。典型应用包括工业控制器中的固件存储、通信设备的引导程序存放、医疗仪器的校准数据保存、老式个人计算机和游戏机的BIOS芯片、自动化测试设备的程序固化等。由于其可重复擦写特性，特别适用于研发实验室中的原型验证和功能调试阶段。在教育领域，该芯片也常用于教学实验平台，帮助学生理解存储器工作原理和编程机制。此外，在一些无法使用现代闪存技术的遗留系统升级项目中，MD27C64A-25/B仍然发挥着重要作用。其稳定的电气特性和广泛的行业支持使其成为许多工程师首选的EPROM解决方案。
27C64
