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MD16200S-BM2MM 发布时间 时间:2025/12/26 23:29:21 查看 阅读:17

MD16200S-BM2MM是一款由Monolithic Power Systems(MPS)推出的高集成度、高效同步降压DC-DC转换器模块,专为需要紧凑型电源解决方案的中高功率应用设计。该模块将控制器、功率开关管(通常为MOSFET)、电感器以及其他关键无源元件集成在一个小型封装内,极大简化了电源设计流程,缩短了产品开发周期。MD16200S-BM2MM适用于工业自动化、通信基础设施、服务器电源、FPGA和ASIC供电以及分布式电源系统等对空间和效率要求较高的场景。该模块支持宽输入电压范围,具备出色的负载调整率和线路调整率,能够在各种工作条件下保持稳定的输出电压。此外,其内置的多种保护机制确保了系统的长期可靠运行,即使在异常工况下也能有效防止器件损坏。MPS通过高度优化的封装技术和先进的控制拓扑,使该模块在保持高性能的同时实现了极低的电磁干扰(EMI),满足严苛的电磁兼容性要求。整体而言,MD16200S-BM2MM代表了现代电源模块向高集成化、高效率和易用性发展的趋势,是替代传统分立式电源设计的理想选择。

参数

型号:MD16200S-BM2MM
  制造商:Monolithic Power Systems (MPS)
  类型:同步降压DC-DC电源模块
  输入电压范围:4.5V 至 18V
  输出电压范围:0.6V 至 5.5V(可调)
  最大输出电流:10A
  开关频率:典型值1MHz
  效率:最高可达95%
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C(结温)
  封装类型:BGA,13mm x 13mm x 3.5mm
  控制模式:电流模式控制
  反馈参考电压:0.6V ±1%
  静态电流:典型值50μA(关断模式)
  保护功能:过流保护(OCP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)、过热保护(OTP)

特性

MD16200S-BM2MM具备卓越的动态响应能力,能够快速适应负载电流的剧烈变化,确保输出电压的稳定性。这得益于其采用的先进电流模式控制架构,该架构不仅提高了环路稳定性,还增强了对输入电压波动和负载瞬变的抑制能力。模块内部集成了低导通电阻的上下桥MOSFET,显著降低了导通损耗,结合高频操作(典型1MHz),允许使用更小体积的外部滤波元件,从而减小整体解决方案尺寸。其高效率特性在全负载范围内表现优异,特别是在中低负载条件下仍能维持较高的转换效率,这对于需要长时间待机或轻载运行的应用至关重要。该模块采用热增强型封装设计,底部带有散热焊盘,可通过PCB上的大面积铜箔实现高效散热,确保在高功率密度下可靠运行。
  MPS在设计MD16200S-BM2MM时充分考虑了电磁兼容性问题,通过优化内部布局和开关节点波形整形技术,有效抑制了高频噪声的产生和传播,使其在未使用额外屏蔽的情况下也能满足CISPR 32 Class B等严格的EMI标准。此外,该模块支持外部频率同步功能,用户可将其开关频率与系统主时钟同步,避免拍频干扰,进一步提升系统级EMI性能。其可编程软启动功能可有效限制启动时的浪涌电流,防止输入电源跌落或损坏后级电路。所有这些特性都通过极少的外部元件即可实现,大大降低了设计复杂度和BOM成本。

应用

MD16200S-BM2MM广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的电子系统中。在工业领域,它常用于PLC控制器、工业HMI、电机驱动器和传感器供电单元,为其提供稳定可靠的电源。在通信设备中,该模块可用于路由器、交换机和基站中的多路电源轨供电,特别是为DSP、FPGA和微处理器的核心及I/O电压供电。在数据中心和服务器系统中,MD16200S-BM2MM可用于为DDR内存、ASIC芯片组或辅助电源轨提供高效转换,其高效率有助于降低整体功耗和散热需求,符合绿色能源标准。此外,在医疗电子、测试测量仪器和高端消费类电子产品中,该模块也因其小巧的尺寸和优异的性能而备受青睐。由于其宽输入电压范围,该模块特别适合由12V中间母线供电的分布式电源架构(DPA),可直接从12V总线降压至核心所需的低电压,如1.8V、3.3V或5V,省去了额外的稳压级,提高了系统效率。其即插即用的设计理念使得工程师可以快速完成电源设计,加速产品上市时间。

替代型号

MPM3620

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MD16200S-BM2MM参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • 二极管配置1 对串联
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)200A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.5 V @ 400 A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏500 μA @ 1600 V
  • 工作温度 - 结-40°C ~ 150°C
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳S-3 模块
  • 供应商器件封装S3