MCZ33904C5EKR2是一款由知名半导体厂商生产的功率MOSFET芯片,主要应用于高效能电源转换和电机驱动领域。该芯片采用先进的制程工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。此外,MCZ33904C5EKR2还具备优异的抗静电能力和稳定性,适用于严苛的工作环境。
类型:N沟道 MOSFET
封装形式:TO-252 (DPAK)
最大漏源电压(Vdss):40V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):36A(脉冲)
导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
输入电容(Ciss):2270pF
开关时间:ton=18ns, toff=35ns
工作温度范围:-55°C至+175°C
结温:175°C
MCZ33904C5EKR2具有低导通电阻,可以有效减少功率损耗,从而提升系统效率。
该芯片支持高速开关操作,适合高频应用环境。
其坚固的设计确保了在极端条件下的可靠运行,并提供良好的短路保护功能。
此外,MCZ33904C5EKR2采用了优化的热设计,有助于散热管理,延长器件寿命。
它兼容多种驱动电路,并能在较宽的工作电压范围内稳定运行。
MCZ33904C5EKR2广泛应用于直流-直流转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动控制器以及各种工业自动化设备中。
由于其高性能表现,该芯片也常用于电动汽车充电模块、太阳能逆变器以及其他需要高效能量转换的场景。
同时,它还可作为负载开关或保护电路中的关键元件使用。
IRFZ44N
FDP5800
STP55NF06L