时间：2025/5/30 21:22:52
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MCR25TZHFC1R3D 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和逆变器等应用。该器件采用了先进的封装工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统效率并减小整体尺寸。
这款 GaN 功率晶体管通过优化的栅极驱动设计实现了更高的可靠性和更宽的工作电压范围，非常适合需要高性能和高效率的应用场景。
类型：增强型场效应晶体管
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：25A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：80nC
开关频率：最高 5MHz
封装形式：TO-247-4L
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
MCR25TZHFC1R3D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（1.3mΩ），可以有效降低传导损耗。
2. 高频开关能力（高达 5MHz），支持小型化磁性元件设计。
3. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，增强了器件的可靠性。
4. 具有快速恢复体二极管，减少开关损耗。
5. 支持零电压开关（ZVS）操作，进一步提升效率。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
由于这些特性，该器件特别适合用于高效率、高密度的电力电子系统中。
MCR25TZHFC1R3D 广泛应用于以下领域：
1. 数据中心服务器电源（SMPS）。
2. 电动汽车充电设备（EVSE）。
3. 太阳能逆变器及储能系统。
4. 工业用 DC-DC 转换器。
5. 消费类快充适配器。
6. 无线电源传输模块。
其高效率和高频性能使得该器件成为现代电力电子设备的理想选择。
MCR25TQHFC1R5D, MCR20TZHFC1R8D
