时间：2025/12/23 22:36:23
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MCR03EZPJ331 是一款由 ROHM 生产的低导通电阻 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 USP-6B 封装形式，适用于需要高效率和低功耗的应用场景。其主要特点是具有低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关性能，适合用于负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动等应用中。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：3.4A
导通电阻：85mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：9nC（典型值）
总功耗：780mW
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
MCR03EZPJ331 的设计注重高效能与稳定性，以下是详细特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关能力，可显著减少开关损耗，从而提升高频应用中的性能。
3. 小型封装 USP-6B，节省 PCB 空间并满足现代设备小型化需求。
4. 高可靠性，具备良好的耐热特性和电气稳定性，适应严苛的工作环境。
5. 具备出色的 ESD 防护能力，增强了产品的抗干扰性能。
MCR03EZPJ331 在保证高性能的同时兼顾了紧凑设计和成本效益，非常适合对空间敏感且追求效率的电子设备使用。
该芯片适用于多种应用领域，包括但不限于以下：
1. 移动设备中的电源管理模块，如智能手机和平板电脑的电池管理系统。
2. 笔记本电脑和其他便携式电子设备的负载开关。
3. 各类 DC-DC 转换器设计，特别是降压转换器。
4. 小型电机驱动控制电路，如风扇或振动马达。
5. LED 照明系统的驱动及保护。
6. 一般用途的开关和保护电路，如过流保护和短路保护。
MCR03EZPJ331 的灵活性使其成为许多低电压、中小电流应用的理想选择。
MCR03EJPJ331, MCR03DZPJ331
