MCMA85PD1200TB 是一款由 Microchip Technology 生产的碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要用于高功率、高效率的电源转换系统。该器件采用了先进的碳化硅技术,具备低导通电阻、快速开关特性和优异的热稳定性,适用于电动汽车(EV)充电系统、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)以及工业电源等应用场景。
类型:碳化硅 MOSFET
最大漏源电压(Vds):1200V
最大漏极电流(Id):85A
导通电阻(Rds(on)):85mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):150nC(典型值)
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:TO-247
配置:单管
MCMA85PD1200TB 采用碳化硅材料,具有出色的导热性和高击穿电场强度,使其在高温和高电压环境下依然保持稳定工作。该器件的导通电阻非常低,仅为85mΩ,有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,该 MOSFET 的开关速度快,能够有效减少开关损耗,从而提升电源转换效率并减少散热需求。
该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于实现更高的开关频率,适用于高频电源转换应用。其 TO-247 封装形式具备良好的散热性能,适用于工业级应用环境。MCMA85PD1200TB 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,适应广泛的工作环境条件,具备良好的可靠性和耐久性。
在可靠性方面,MCMA85PD1200TB 采用了坚固的结构设计,具备优异的短路耐受能力和抗浪涌电流能力,能够在高应力条件下保持稳定运行。此外,该器件的封装材料符合 RoHS 环保标准,支持无铅焊接工艺,满足现代电子设备的环保要求。
MCMA85PD1200TB 适用于多种高功率电力电子系统,如电动汽车充电器(EV Charger)、太阳能逆变器(PV Inverter)、储能系统(Energy Storage System)、不间断电源(UPS)、服务器电源以及工业电机驱动器。在电动汽车充电系统中,该器件可作为主功率开关,用于 DC-DC 转换或 DC-AC 逆变环节,提升整体能效并减小系统体积。在太阳能逆变器中,该 MOSFET 可用于高频开关拓扑结构,提高转换效率并减少热量产生。
此外,MCMA85PD1200TB 也适用于高压 DC-DC 转换器、电池管理系统(BMS)中的高压开关模块以及功率因数校正(PFC)电路。其高可靠性和优异的热管理能力使其成为工业自动化、智能电网和新能源基础设施等领域的理想选择。
C3M0060065J, SCT3080ALHR, SiC MOSFET 1200V 80A 80mΩ TO-247