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MCM69T618TQ5R 发布时间 时间:2025/9/2 19:31:59 查看 阅读:9

MCM69T618TQ5R 是一款由Micron Technology生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片专为高性能计算和高密度存储需求而设计,适用于需要大容量内存和快速数据存取的应用场景。该芯片采用TSOP(薄型小外形封装)封装形式,具有良好的可靠性和稳定性。

参数

容量:64MB
  架构:x16位
  工作电压:3.3V
  最大访问时间:5.4ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:0°C至70°C
  数据保持电压:2.5V至3.6V
  时钟频率:166MHz

特性

MCM69T618TQ5R 是一款高速DRAM存储器,其主要特性包括64MB的存储容量和x16的数据总线宽度,这使得它在数据吞吐量方面表现出色。该芯片支持异步操作模式,允许在不依赖系统时钟的情况下进行数据读写,从而提高了灵活性和响应速度。此外,其TSOP封装设计有助于降低封装高度,适用于空间受限的电子设备。芯片的工作电压为3.3V,能够在较宽的电源电压范围内稳定运行,适用于多种电源管理设计。该DRAM还具有较低的待机电流,有助于在低功耗应用场景中节省能源。其工作温度范围为0°C至70°C,适合在多种环境条件下使用,包括工业和商业设备。此外,该芯片的高速访问时间(5.4ns)确保了快速的数据读写性能,适用于需要高带宽存储的应用,如图形处理、高速缓存和嵌入式系统。
  

应用

MCM69T618TQ5R 常用于需要高性能和高密度存储的电子设备中,例如个人电脑、服务器、嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及通信设备。由于其高速访问时间和较大的存储容量,它也适用于需要频繁数据交换和缓存管理的系统,如图形加速器和视频处理设备。

替代型号

MCM69T618TQ5R的替代型号包括MCM69T618BQ5R 和 MCM69T618TQ5A。

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