容量：64Kbit（8K x 8位）
　　电源电压：5V
　　访问时间：35ns
　　封装类型：32引脚DIP（双列直插式封装）
　　工作温度范围：商业级0°C至70°C
　　功耗：典型工作电流约100mA
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　封装材料：塑料

MCM6264CJ35R2 SRAM芯片的主要特性之一是其高速访问能力，访问时间仅为35ns，这使得它非常适合需要快速数据存取的应用。该芯片采用CMOS技术，具备较低的静态功耗，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长设备的电池寿命。此外，MCM6264CJ35R2的TTL兼容输入/输出电平使其能够与多种微处理器和控制器无缝连接，简化了系统设计。
　　该芯片还具备良好的抗干扰能力和高稳定性，适合在工业环境中使用。MCM6264CJ35R2采用32引脚DIP封装，便于安装和更换，适用于原型设计和小批量生产。其存储单元采用六晶体管结构，确保了数据的稳定性和可靠性，并且无需刷新操作，降低了系统的复杂性。
　　此外，MCM6264CJ35R2还支持异步操作，允许与各种类型的处理器和控制器配合使用，适用于多种应用场景。

MCM6264CJ35R2 SRAM芯片广泛应用于需要高速存储和低功耗的场合。常见的应用包括嵌入式系统、工业自动化设备、通信模块、数据采集设备、测试仪器和消费类电子产品。例如，在嵌入式系统中，该芯片可用于存储程序代码或临时数据；在工业控制系统中，它可以作为高速缓存或数据缓冲器；在通信设备中，MCM6264CJ35R2可用于存储配置信息或临时数据包。
　　由于其TTL兼容性和异步接口，MCM6264CJ35R2可轻松集成到基于微处理器或微控制器的系统中，作为主存储器或辅助存储器。此外，它也适用于需要高速缓存的计算机外围设备，如打印机、扫描仪和网络设备。

MCM6264CJL35R2, CY6264BV35, IDT7164SA35B, HM628512A