型号：MCH6613-TL-H
　　类型：P沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-4.1A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-12A
　　导通电阻(RDS(on))：21mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：27mΩ @ VGS = -2.5V
　　导通电阻(RDS(on))：30mΩ @ VGS = -1.8V
　　阈值电压(VGS(th))：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：520pF @ VDS=10V
　　工作温度范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TSOP-6 (SOT-23-6)

MCH6613-TL-H采用Magnachip先进的沟槽式MOSFET工艺，具备出色的电学性能和稳定性。其核心特性之一是低阈值电压，典型值约为-0.8V，确保在低电压逻辑信号下也能可靠地开启器件，特别适用于由1.8V、2.5V或3.3V控制器直接驱动的应用场合。这种低VGS(th)设计不仅提高了驱动兼容性，还降低了对额外电平转换电路的需求，简化了系统设计并节省了成本。
　　该器件的导通电阻非常低，在VGS = -4.5V时RDS(on)仅为21mΩ，显著减少了导通状态下的功率损耗，有助于提高电源效率并降低温升。即使在较低的栅极驱动电压如-1.8V下，其RDS(on)仍保持在30mΩ左右，表现出良好的低电压驱动能力。这一特性使其非常适合用于电池供电设备中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，这些应用要求在有限的电池容量下最大化能量利用效率。
　　MCH6613-TL-H具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达-4.1A，短时间脉冲电流甚至可达-12A，足以应对瞬态负载变化。同时，其输入电容Ciss为520pF，在同类产品中处于较低水平，有利于减少开关过程中的动态损耗，提升高频开关应用中的响应速度和效率。
　　该器件还具备优良的热稳定性和可靠性，结温范围可达-55°C至+150°C，适用于宽温环境下的工业和消费类应用。TSOP-6封装不仅体积小巧，便于高密度PCB布局，而且具有良好的散热性能，通过适当的PCB铜箔设计可进一步增强热传导能力。此外，MCH6613-TL-H符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对绿色环保的要求。

MCH6613-TL-H广泛应用于需要高效、小型化P沟道MOSFET的各种电源管理场景。典型应用包括便携式电子设备中的负载开关和电源路径控制，例如在移动设备中用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或热插拔保护。其低导通电阻和快速响应能力使得它在电池管理系统中扮演关键角色，可用于防止反向电流流动或作为理想二极管替代方案。
　　在DC-DC转换器电路中，MCH6613-TL-H常被用作同步整流器或高端开关元件，尤其是在降压（Buck）变换器中，配合N沟道MOSFET工作，提升整体转换效率。由于其支持低电压驱动，非常适合与现代低电压微控制器或电源管理IC（PMIC）协同工作，无需复杂的栅极驱动电路即可实现高效控制。
　　此外，该器件也适用于各种过压/过流保护电路、热插拔控制器、USB电源开关以及各类适配器接口的电源管理单元。在工业控制领域，MCH6613-TL-H可用于PLC模块、传感器供电控制和继电器驱动电路中，提供稳定的开关性能和长期运行可靠性。
　　得益于其小尺寸封装和高性能表现，MCH6613-TL-H在空间敏感型应用中尤为受欢迎，如TWS耳机、智能手表、物联网终端设备等超薄消费电子产品。同时，其坚固的电气特性和宽工作温度范围也使其适用于车载信息娱乐系统、汽车电子附件等对环境适应性要求较高的非主驱应用场景。

Si2303CDV-T1-E3