时间：2025/7/5 5:54:56
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MCH6613-TL-EX是一款高性能的N沟道逻辑电平增强型MOSFET，专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，能够提供卓越的开关性能和热稳定性，适用于各种电源管理、电机驱动以及负载开关等场景。
该MOSFET具有较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。同时，其出色的雪崩击穿能力和耐用性使其在严苛的工作环境下也能保持稳定运行。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
总栅极电荷：17nC
输入电容：1240pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
MCH6613-TL-EX具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可显著降低功耗并提升效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
3. 高度耐用，具有强大的抗雪崩能力，能承受瞬态过载情况。
4. 支持宽泛的工作温度范围，适应多种恶劣环境。
5. 小型化封装设计，节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
这款MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 直流/直流转换器和降压/升压电路。
3. 汽车电子设备中的负载开关和电机控制。
4. 工业自动化系统中的继电器替代方案。
5. 可携式设备如笔记本电脑适配器、充电器等中的功率管理模块。
MCH6613TLEXTA, MCH6613TL-EXTR, IRF7832, AO3400
