MCD95-12 时间：2025/8/6 3:29:19 阅读：34

MCD95-12是一种高压大电流MOSFET晶体管，广泛应用于高功率电子设备中。该器件采用先进的功率MOSFET技术，具备优异的导通性能和快速开关特性。MCD95-12的封装形式为TO-247，适用于多种高功率应用场景，如工业控制、电源管理和电动机驱动系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：1200V
　　最大漏极电流（ID）：95A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为18mΩ
　　栅极电压范围：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247
　　最大功耗（PD）：350W

特性

MCD95-12具备多项优良特性，使其成为高功率应用的理想选择。首先，其高达1200V的漏极电压使其能够在高压环境下稳定运行。其次，该MOSFET的导通电阻仅为18mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，MCD95-12支持高达95A的漏极电流，适用于高电流需求的功率系统。
　　MCD95-12的TO-247封装设计不仅提供了良好的散热性能，还能有效减少热阻，提高器件的热稳定性。该封装形式还具备较高的机械强度和良好的焊接性能，适合在复杂的工作环境中使用。
　　在开关特性方面，MCD95-12具备快速开关能力，可有效减少开关损耗，提高系统的整体效率。此外，其±20V的栅极电压范围使其能够兼容多种驱动电路，提升了应用的灵活性。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，可在极端环境下稳定运行，适用于工业控制、电力电子、新能源系统等广泛的应用领域。

应用

MCD95-12适用于多种高功率电子系统。其主要应用包括工业电机驱动器、逆变器、电源转换器、不间断电源（UPS）、焊接设备和电动车辆的电力系统。由于其高耐压和大电流能力，MCD95-12也常用于太阳能逆变器、风能转换系统等新能源领域。此外，该器件还可用于高频电源、电焊机、直流-直流转换器等高功率电子设备。