类型：MOSFET模块
　　额定电压：1400V
　　额定电流：700A
　　导通电阻：典型值为1.45mΩ
　　封装形式：双列直插式（Dual Inline）
　　最大工作温度：150°C
　　热阻（Rth）：约0.15K/W
　　短路耐受能力：支持
　　驱动电压：15V
　　输入电容：约7.8nF

MCD700-14IO1W具有多项先进特性，使其在高性能功率转换系统中表现出色。
　　首先，该模块采用了先进的SiC（碳化硅）MOSFET技术，相较于传统的硅基IGBT，具有更低的开关损耗和更高的工作频率能力，有助于提高系统效率并减小外围元件的尺寸。SiC材料的宽禁带特性也使得器件能够在更高的温度下稳定工作，提高了系统的可靠性和耐用性。
　　其次，MCD700-14IO1W的导通电阻非常低，典型值为1.45mΩ，这使得在高电流应用中，导通损耗大幅降低，从而提升了整体能效。此外，该模块具备良好的短路耐受能力，能够在突发短路情况下保持稳定运行，防止器件损坏，提升系统安全性。
　　封装方面，该模块采用了双列直插式封装设计，具有良好的散热性能和紧凑的结构布局，便于在高功率密度设计中集成。模块内部的热阻（Rth）约为0.15K/W，确保了在大电流工作时热量能够有效传导，降低温升，延长使用寿命。
　　此外，MCD700-14IO1W还支持高达15V的驱动电压，确保MOSFET在导通状态下的稳定性和低损耗，同时具备快速开关能力，适用于高频开关电源、逆变器、变频器等高要求的电力电子系统。

MCD700-14IO1W广泛应用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。其主要应用领域包括工业电机驱动器、高频电源转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动车充电系统、储能系统以及工业自动化设备等。在这些应用中，该模块能够有效提升系统的能效、减小体积，并增强整体的稳定性和可靠性。由于其出色的短路保护能力和高温工作性能，MCD700-14IO1W特别适合在极端环境条件下运行，如高温、高湿度或高振动的工业现场。此外，该模块也适用于需要快速开关和高频率操作的场合，如数字电源和高频逆变器的设计中。

MCD800-14IO1W, MCD600-14IO1W, M3H0-700V120B