MCC501-16I01 时间：2025/8/23 8:16:08 阅读：2

MCC501-16I01 是一款由Microsemi（现为Microchip Technology旗下品牌）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）模块，专为高功率和高效率应用设计。该器件采用先进的功率封装技术，具备优异的热管理和电气性能，适用于工业电源、电机驱动、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器等领域。该模块内含多个MOSFET单元，采用并联结构以提高电流承载能力，同时降低导通损耗。

参数

类型：MOSFET模块
　　配置：N沟道
　　漏源电压（Vds）：1600V
　　连续漏极电流（Id）@25℃：500A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值1.2mΩ
　　栅极电荷（Qg）：约280nC
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：双列直插式模块（DIP）
　　热阻（Rth(j-c)）：0.12℃/W
　　短路耐受能力：具备短路保护能力
　　安装孔距：符合标准工业模块安装尺寸

特性

MCC501-16I01 MOSFET模块具备多项高性能特性。其高耐压能力（1600V）使其适用于高电压系统，如高压电机驱动和大功率电源转换应用。
　　该模块的低导通电阻（1.2mΩ）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。这对于需要高功率密度和高效能转换的设备尤为重要，例如太阳能逆变器和电动汽车充电设备。
　　该模块采用先进的并联结构设计，支持高达500A的连续漏极电流，确保在高负载条件下仍能稳定运行。其出色的热管理性能（热阻仅为0.12℃/W）使得器件在高功率运行时仍能保持较低的工作温度，从而提高系统的可靠性和寿命。
　　此外，MCC501-16I01具有良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受过载电流而不损坏，这使得其在电机启动、电源瞬态等场合中表现出色。其栅极电荷（Qg）较低，有助于降低开关损耗，提高开关频率和系统响应速度。
　　该模块的封装设计符合工业标准，便于安装和散热器连接，适用于各种工业自动化和电力电子设备。其工作温度范围宽（-55℃至+175℃），可适应各种恶劣工作环境。

应用

MCC501-16I01 MOSFET模块广泛应用于多种高功率电子系统中。在工业自动化和电机控制领域，该模块可用于高性能变频器和伺服驱动器，提供高效率和高稳定性的功率控制。
　　在可再生能源系统中，尤其是太阳能逆变器和风力发电变流器中，MCC501-16I01的高效能和高可靠性使其成为理想的选择，能够显著提高能源转换效率。
　　在不间断电源（UPS）系统中，该模块可用于DC-AC逆变器和AC-DC整流器部分，确保电力中断时的快速切换和稳定输出。
　　此外，该模块也适用于电动汽车充电设备、储能系统、高频开关电源（SMPS）等应用场景。其高耐压、低导通损耗和优异的热管理能力使其在这些高要求的系统中表现出色，满足现代电力电子设备对高效率、高可靠性和高功率密度的需求。