时间：2025/8/6 4:40:59
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MCC26-08I08 B 是一款由Microsemi（现为Microchip子公司）生产的MOSFET模块，专为高效率和高功率密度应用设计。该模块属于MCC系列，具有低导通电阻和优化的热管理特性，适用于需要高可靠性和高性能的工业与电力电子设备。
类型：MOSFET模块
最大漏源电压（Vds）：800V
最大连续漏极电流（Id）：26A
导通电阻（Rds(on)）：80mΩ
封装类型：双列直插式（DIP）
工作温度范围：-55°C至+150°C
栅极电荷（Qg）：120nC
短路耐受能力：有
安装类型：通孔安装
MCC26-08I08 B模块具备多项优异特性，包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高能效。其800V的漏源电压额定值使其适用于高电压应用，而26A的最大漏极电流则支持高功率需求。模块采用双列直插式（DIP）封装，优化了散热性能，同时提高了热稳定性。
此外，该模块具有出色的短路耐受能力，能够在恶劣工作条件下保持稳定运行。其宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C）确保了在极端环境中的可靠性，适用于工业自动化、电源转换、电机驱动和可再生能源系统等高要求应用。MCC26-08I08 B还具备低栅极电荷（Qg），减少了开关损耗，从而提高了整体系统效率。
MCC26-08I08 B模块广泛应用于多个领域，包括工业电机驱动、不间断电源（UPS）、逆变器、电焊机、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备。其高电压和高电流能力使其成为电力电子系统中理想的功率开关器件。该模块也适用于需要高效能和高可靠性的电力转换设备，如智能电网基础设施和工业自动化控制系统。
MCC26-08I08B、MCC26-08I08 BI、MCC26-08I08-BI
