时间：2025/8/6 4:41:22
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MCC170-12IO1 是由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的一款碳化硅（SiC）MOSFET 模块，适用于高功率、高频电力电子应用。该模块采用了先进的碳化硅技术，具有低导通损耗和开关损耗，适用于电动汽车、可再生能源系统、工业电源以及电能质量调节设备等应用。MCC170-12IO1 采用双路（Dual）拓扑结构，内置两个 SiC MOSFET 器件，适用于半桥或双向开关配置。
类型：SiC MOSFET 模块
最大漏源电压（VDS）：1200V
最大漏极电流（ID）：170A
导通电阻（RDS(on)）：12mΩ（典型值）
封装形式：双列直插式封装（Dual Inline）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
短路耐受能力：600V/170A 条件下具备短路保护能力
驱动电压范围：15V 至 20V
最大功耗：300W
热阻（Rth）：0.25°C/W（典型值）
MCC170-12IO1 是一款高性能的 SiC MOSFET 模块，具有显著优于传统硅基 IGBT 模块的电气特性。其导通电阻仅为 12mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该模块能够在高达 1200V 的电压和 170A 的电流下稳定工作，适用于高功率密度设计。此外，MCC170-12IO1 具有极低的开关损耗，支持高频开关操作，从而减小了磁性元件和散热系统的体积，提高了系统的整体功率密度。
该模块采用双路结构，适用于半桥、双向开关等拓扑结构，广泛用于电动汽车充电桩、光伏逆变器、储能系统和不间断电源（UPS）等领域。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，具备优异的热稳定性和可靠性。此外，MCC170-12IO1 内部集成了快速恢复二极管（FRD），在反向恢复过程中具有极低的能量损耗，进一步提升了系统的效率和稳定性。
该模块还具备良好的短路保护能力，能够在 600V/170A 条件下承受短时间的短路电流，确保系统在异常情况下仍能保持安全运行。其热阻仅为 0.25°C/W，意味着其散热性能优异，适用于高功率应用场景。此外，该模块支持 15V 至 20V 的驱动电压范围，兼容多种主流栅极驱动电路，便于系统集成。
MCC170-12IO1 主要应用于高功率、高频率的电力电子系统中。例如，在电动汽车领域，它可用于车载充电器（OBC）和电机控制器中，以提高能效和功率密度。在可再生能源领域，该模块适用于光伏逆变器、储能逆变器和风力发电变流器等设备，能够有效提升转换效率并降低系统损耗。在工业电源方面，MCC170-12IO1 可用于高频电源、电焊机和激光电源等设备，支持更高频率的开关操作，减少电磁干扰（EMI）。此外，该模块还可用于电能质量调节设备，如无功功率补偿器（SVG）和有源滤波器（APF），以提升电网的稳定性和能效。
MCC170-12IO1 的替代型号包括：MCC170-16IO1（导通电阻为 16mΩ，适用于更高耐压需求）、MCC120-07IO1（较低导通电阻，适用于更高效率要求的系统）、以及 CMF170N120（由 Cree / Wolfspeed 提供的同类 SiC MOSFET 模块）。
