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MCC170-12IO1 发布时间 时间:2025/8/6 4:41:22 查看 阅读:47

MCC170-12IO1 是由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的一款碳化硅(SiC)MOSFET 模块,适用于高功率、高频电力电子应用。该模块采用了先进的碳化硅技术,具有低导通损耗和开关损耗,适用于电动汽车、可再生能源系统、工业电源以及电能质量调节设备等应用。MCC170-12IO1 采用双路(Dual)拓扑结构,内置两个 SiC MOSFET 器件,适用于半桥或双向开关配置。

参数

类型:SiC MOSFET 模块
  最大漏源电压(VDS):1200V
  最大漏极电流(ID):170A
  导通电阻(RDS(on)):12mΩ(典型值)
  封装形式:双列直插式封装(Dual Inline)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  短路耐受能力:600V/170A 条件下具备短路保护能力
  驱动电压范围:15V 至 20V
  最大功耗:300W
  热阻(Rth):0.25°C/W(典型值)

特性

MCC170-12IO1 是一款高性能的 SiC MOSFET 模块,具有显著优于传统硅基 IGBT 模块的电气特性。其导通电阻仅为 12mΩ,显著降低了导通损耗,提高了系统效率。该模块能够在高达 1200V 的电压和 170A 的电流下稳定工作,适用于高功率密度设计。此外,MCC170-12IO1 具有极低的开关损耗,支持高频开关操作,从而减小了磁性元件和散热系统的体积,提高了系统的整体功率密度。
  该模块采用双路结构,适用于半桥、双向开关等拓扑结构,广泛用于电动汽车充电桩、光伏逆变器、储能系统和不间断电源(UPS)等领域。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C,具备优异的热稳定性和可靠性。此外,MCC170-12IO1 内部集成了快速恢复二极管(FRD),在反向恢复过程中具有极低的能量损耗,进一步提升了系统的效率和稳定性。
  该模块还具备良好的短路保护能力,能够在 600V/170A 条件下承受短时间的短路电流,确保系统在异常情况下仍能保持安全运行。其热阻仅为 0.25°C/W,意味着其散热性能优异,适用于高功率应用场景。此外,该模块支持 15V 至 20V 的驱动电压范围,兼容多种主流栅极驱动电路,便于系统集成。

应用

MCC170-12IO1 主要应用于高功率、高频率的电力电子系统中。例如,在电动汽车领域,它可用于车载充电器(OBC)和电机控制器中,以提高能效和功率密度。在可再生能源领域,该模块适用于光伏逆变器、储能逆变器和风力发电变流器等设备,能够有效提升转换效率并降低系统损耗。在工业电源方面,MCC170-12IO1 可用于高频电源、电焊机和激光电源等设备,支持更高频率的开关操作,减少电磁干扰(EMI)。此外,该模块还可用于电能质量调节设备,如无功功率补偿器(SVG)和有源滤波器(APF),以提升电网的稳定性和能效。

替代型号

MCC170-12IO1 的替代型号包括:MCC170-16IO1(导通电阻为 16mΩ,适用于更高耐压需求)、MCC120-07IO1(较低导通电阻,适用于更高效率要求的系统)、以及 CMF170N120(由 Cree / Wolfspeed 提供的同类 SiC MOSFET 模块)。

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MCC170-12IO1参数

  • 标准包装4
  • 类别半导体模块
  • 家庭SCR
  • 系列-
  • 结构串联 - 全部为 SCR
  • SCR 数目,二极管2 SCRs
  • 电压 - 断路1200V
  • 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大)150mA
  • 电流 - 导通状态 (It (AV))(最大)203A
  • 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大)350A
  • 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)5400A,5800A
  • 电流 - 维持(Ih)150mA
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳Y1-CU
  • 包装散装