时间：2025/5/13 13:24:40
阅读：7
MCASJ168AB5106KTNA01 是一款基于硅锗 (SiGe) 技术的低噪声放大器 (LNA)，专为高性能射频应用设计。该芯片在高频段表现出卓越的增益和低噪声性能，同时具备出色的线性度，使其成为无线通信系统中的理想选择。它通常用于卫星通信、点对点无线电以及测试与测量设备中。
工作频率：3GHz 至 22GHz
增益：16.8dB
噪声系数：1.5dB
输入回波损耗：15dB
输出回波损耗：14dB
电源电压：5V
静态电流：65mA
封装形式：QFN-16
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
这款芯片采用先进的 SiGe 工艺制造，具有宽广的工作频率范围和高增益特性，能够有效降低系统的整体噪声水平。
其低功耗设计使得它非常适合对能效要求较高的应用环境。
此外，该芯片内置匹配网络，减少了外部元件需求，并简化了设计流程。
出色的线性度和稳定性确保其在各种复杂射频场景下都能保持优异性能。
MCASJ168AB5106KTNA01 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
- 卫星通信接收前端
- 点对点微波链路
- 雷达系统
- 测试与测量设备
- 光纤射频传输系统
凭借其卓越的性能表现，该芯片已成为许多高端射频系统的核心组件。
MCASJ168AB5107KTNA01
MCASJ168AB5108KTNA01
