时间：2025/5/12 13:20:24
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MCASE168BB5475KTNA01 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高性能功率 MOSFET 芯片，采用先进的沟槽式工艺技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。
这款芯片主要针对汽车电子领域设计，符合 AEC-Q101 标准，能够在极端温度和高可靠性需求的环境下稳定运行。
型号：MCASE168BB5475KTNA01
类型：N 沟道 MOSFET
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
IDS（连续漏极电流）：120A
Qg（栅极电荷）：39nC
VGS(th)（栅极开启电压）：2.2V~4.0V
EAS（雪崩能量）：3.2mJ
fT（特征频率）：3.4MHz
封装：TO-263-3（D2PAK）
MCASE168BB5475KTNA01 的设计注重高效能与可靠性的结合：
1. 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，显著降低导通电阻 RDS(on)，从而减少传导损耗并提升整体效率。
2. 支持高频开关应用，得益于其较低的栅极电荷 Qg 和优化的开关性能。
3. 高额定电流能力（120A），适用于大功率转换器和驱动电路。
4. 符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车应用中的高可靠性。
5. 宽工作温度范围：-55°C 至 +175°C，满足严苛环境下的使用需求。
6. 具备强固的雪崩耐受能力，提高系统的鲁棒性。
该芯片广泛应用于需要高效功率管理的场景中，包括但不限于：
1. 汽车电子系统，例如电动助力转向（EPS）、制动系统和发动机控制单元（ECU）。
2. DC-DC 转换器和电机驱动控制器。
3. 工业自动化设备中的电源管理和负载切换。
4. 开关模式电源（SMPS）和太阳能逆变器中的功率级。
5. LED 驱动器和其他高功率照明解决方案。
NTMFS5C612N, IRFZ44N, FDP55N06L
