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MC33PF8100EPES 发布时间 时间:2025/5/20 20:52:24 查看 阅读:17

MC33PF8100EPES 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)推出的高压功率 MOSFET,主要用于汽车和工业应用中的开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用 SOIC-8 封装形式,具有低导通电阻和高耐压的特点,适合在高温、高可靠性的环境中工作。
  这款芯片内部集成了一个 N 沟道功率 MOSFET,能够承受高达 80V 的漏源电压,同时具备快速开关特性和出色的热性能。它还内置了多种保护功能,如过流保护、过温保护等,从而提高了系统的稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:80V
  连续漏极电流:4.7A
  导通电阻:150mΩ
  栅极电荷:26nC
  开关时间:ton=19ns,toff=42ns
  工作温度范围:-40℃至150℃
  封装形式:SOIC-8

特性

1. 高电压承受能力(80V),适用于汽车和工业环境中的各种应用场景。
  2. 低导通电阻(150mΩ),有助于降低功耗并提高效率。
  3. 内置保护功能,包括过流保护和过温保护,增强了系统的可靠性。
  4. 快速开关特性,能够实现高效的能量转换。
  5. 工作温度范围广(-40℃ 至 150℃),适应极端环境条件。
  6. 符合 AEC-Q100 标准,满足汽车级应用要求。

应用

1. 汽车电子系统中的电机驱动和负载控制。
  2. 开关电源和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  4. 电池管理系统中的充放电控制。
  5. LED 驱动电路中的功率管理。
  6. 各种需要高压、高可靠性的开关应用。

替代型号

IRF540N
  STP16NF06
  FDP5500
  AO3400

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MC33PF8100EPES参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格260 : ¥67.93465托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 应用基于高性能 i.MX 8,S32x 处理器
  • 电流 - 供电-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 5.5V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装,可润湿侧翼
  • 封装/外壳56-VFQFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装56-HVQFN(8x8)