型号：MC2838-T150-1
　　制造商：MACOM
　　工作频率范围：2500MHz - 2700MHz
　　输出功率（Pout）：典型值38dBm（6.3W）
　　小信号增益：典型值35dB
　　电源电压（Vcc）：28V
　　静态工作电流（Icq）：典型值230mA
　　峰值效率（Power Added Efficiency, PAE）：典型值55%
　　输入/输出阻抗：50Ω
　　封装类型：Ceramic Overmolded Plastic Package (OMP)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　调制标准支持：LTE, TD-LTE, WCDMA, OFDMA等

MC2838-T150-1作为一款面向现代无线通信系统的射频功率放大器，其核心优势在于卓越的性能与高度集成化的设计相结合。
　　首先，该芯片在2.5GHz至2.7GHz频段内表现出优异的输出功率能力，能够提供高达6.3W（38dBm）的线性输出功率，在保持高数据吞吐量的复杂调制信号条件下仍能维持良好的信号保真度。这使得它非常适合用于城市密集区域或室内覆盖场景中的小型基站设备。
　　其次，MC2838-T150-1采用了GaAs HBT工艺技术，这种半导体工艺不仅提供了出色的高频响应能力，还具备较高的击穿电压和良好的热稳定性，从而确保器件在高压、高温环境下依然可靠运行。同时，HBT结构有助于实现更高的电流增益和更低的噪声水平，进一步提升放大器的整体性能。
　　第三，该器件具有高达55%的功率附加效率（PAE），显著降低了能源消耗和散热需求，符合绿色通信和节能减排的发展趋势。对于运营商而言，这意味着更低的运营成本和更少的冷却系统依赖。
　　第四，MC2838-T150-1内置了输入和输出匹配网络，极大简化了射频前端设计流程，减少了外部元件数量，提升了系统集成度和一致性。设计师无需进行复杂的阻抗匹配调试即可快速完成原型开发。
　　最后，该芯片支持多种主流移动通信标准，包括LTE FDD/TDD、WCDMA和未来的5G NR非独立组网模式下的应用，展现出良好的多模兼容性和长期可用性。结合其紧凑的表面贴装封装，MC2838-T150-1成为下一代小型化、高密度无线接入点的理想选择之一。

MC2838-T150-1主要应用于各类中等功率级别的无线通信基础设施设备中，尤其适用于需要高线性度和高效率的射频发射链路设计。
　　在蜂窝通信领域，该器件被广泛用于微基站（Micro Base Station）、微微蜂窝（Pico Cell）以及毫微微蜂窝（Femto Cell）等小型基站系统中，承担上行或下行链路的射频信号放大任务。由于其工作频段覆盖了当前中国及全球多个地区部署的TD-LTE Band 38、Band 40、Band 41以及部分5G NR n41频段，因此特别适合在中国移动、中国联通和中国电信的相关网络建设中使用。
　　此外，该芯片也适用于分布式天线系统（DAS），这类系统常用于大型建筑、地铁站、体育场馆等人流密集场所，用以增强室内信号覆盖。MC2838-T150-1的高输出功率和良好线性表现可有效支持多用户并发接入，保障语音通话质量和高速数据传输体验。
　　在专用无线网络方面，MC2838-T150-1也可用于公共安全通信系统、智能电网远程监控、工业物联网（IIoT）无线回传链路等场景，特别是在需要长距离、高可靠性的点对多点通信架构中发挥重要作用。
　　另外，由于其具备良好的调制适应能力和宽带操作特性，该芯片还可用于通用射频测试仪器、现场可编程门阵列（FPGA）驱动的软件定义无线电（SDR）平台以及科研实验环境中作为可控高功率射频源模块的核心组件。

MAMX066825LC10
　　AMMP-6540
　　CGHV1J060SC