类型：硅双极型晶体管（BJT）
　　封装形式：TO-220
　　最大集电极电流：150 mA
　　最大集电极-发射极电压：30 V
　　最大功耗：1 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　频率范围：DC 至 125 MHz
　　增益：约 18 dB（典型值）
　　噪声系数：约 3.5 dB（典型值）
　　输出功率：约 100 mW（在 50 MHz 下）

MC1650LD 的主要特性之一是其宽带放大能力，适用于从直流到 125 MHz 的广泛频率范围。
　　该器件具有较高的增益表现，典型值可达 18 dB，使其成为前置放大器或中继放大器的理想选择。
　　其噪声系数约为 3.5 dB，尽管不是最低噪声的器件，但在许多中频和射频放大应用中表现良好。
　　此外，MC1650LD 的输出功率能力较强，在 50 MHz 频率下可提供约 100 mW 的输出功率，适合需要较高驱动能力的场景。
　　TO-220 封装有助于良好的热管理，确保在较高功耗下仍能保持稳定运行。
　　该芯片具备良好的线性度和稳定性，适用于需要低失真的信号放大系统。
　　由于其宽频带特性，MC1650LD 常用于通信系统、测试设备、CATV 放大器和工业控制电路中的信号增强。

MC1650LD 主要应用于需要宽带射频或中频放大的系统中。
　　它常用于通信设备中的信号放大器，例如在无线基站、接收器和发射器电路中作为前置放大器使用。
　　该芯片也广泛用于测试与测量仪器，如频谱分析仪和信号发生器中的放大模块。
　　在有线电视（CATV）系统中，MC1650LD 可用于中继放大器以提升信号强度。
　　此外，它也适用于音频放大电路、工业控制系统的信号增强以及各种中频放大器设计。
　　由于其较高的输出功率能力和良好的线性度，MC1650LD 也常用于驱动后续级的功率放大器。

MC1650LC, MC1650LDF, BFQ59, BFQ67