晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：40V
　　发射极-基极电压（VEBO）：2V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C
　　频率响应（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：50-300（取决于工作电流）

MC1500CG晶体管的主要特性之一是其高频率响应，使其非常适合用于射频放大器和中频放大器。其频率响应达到100MHz（fT），能够满足高频电路设计的需求。
　　另一个重要特性是低噪声性能。MC1500CG在低电流工作条件下表现出较低的噪声系数，这使其成为前置放大器和其他对噪声敏感的应用的理想选择。
　　该晶体管具有良好的电流增益特性，hFE范围为50到300，具体值取决于工作电流。这种宽范围的增益使其适用于多种放大电路设计，并提供了灵活性。
　　MC1500CG的TO-100金属封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了机械稳定性和可靠性，使其能够在较为严酷的环境中正常工作。
　　此外，该晶体管的功耗较低，最大功耗为300mW，适合用于低功耗设计。其电压参数也较为适中，VCEO为30V，VCBO为40V，VEBO为2V，能够满足大多数低电压放大和开关应用的需求。

MC1500CG晶体管广泛应用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路中，特别是在通信设备、广播接收器和测试仪器中。由于其低噪声和高增益特性，它常被用作前置放大器或中间放大级，以提高信号的增益和质量。
　　该晶体管还可用于低频放大器和音频放大器中的某些特定应用，尤其是在需要高稳定性和高频响应的场合。此外，MC1500CG的开关特性也使其适用于数字电路中的开关应用，如逻辑门电路和驱动电路。
　　在测试和测量设备中，MC1500CG常用于信号放大和处理电路中，以提高测量精度和稳定性。由于其金属封装和良好的热性能，该晶体管也可用于需要较高可靠性的工业控制和自动化系统中。

BC547, 2N3904, 2N2222