类型：NPN和PNP匹配对
　　集电极-发射极电压（VCEO）：最高30V（NPN），最高30V（PNP）
　　集电极-基极电压（VCBO）：最高60V（NPN），最高60V（PNP）
　　发射极-基极电压（VEBO）：最高5V（NPN），最高5V（PNP）
　　集电极电流（IC）：连续最大100mA
　　功耗（PD）：典型300mW
　　工作结温（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度（Tstg）：-65°C 至 +150°C
　　电流增益（hFE）：典型值100（在IC=10mA时）
　　增益带宽积（fT）：典型值250MHz
　　封装形式：TO-92（单体封装）或类似小型封装

MC146的核心优势在于其内部集成的NPN与PNP晶体管具有高度匹配的电气特性，这使得它在需要对称性能的模拟电路设计中表现尤为突出。首先，这对晶体管在制造过程中经过严格筛选和匹配，确保了它们的电流增益（hFE）、基射极开启电压（VBE）以及温度系数等关键参数高度一致。这种匹配性极大提升了电路的共模抑制比和线性度，特别适用于构建高精度的差分放大器、电流镜电路以及温度传感器中的测温单元。例如，在使用MC146构成的电流镜中，由于两个晶体管之间的VBE追踪性能优异，能够有效减小静态误差，提升输出电流的稳定性。
　　其次，MC146采用了先进的硅外延工艺制造，保证了器件在高频应用下的良好响应能力。其典型的增益带宽积（fT）可达250MHz，意味着该器件不仅适用于直流和低频信号处理，也能胜任部分中高频模拟应用。同时，较低的寄生电容和快速开关特性使其在脉冲信号放大和高速逻辑接口中也具备一定的应用潜力。
　　再者，MC146具备出色的热耦合性能。由于两个晶体管被集成在同一芯片上并紧邻布局，它们在工作时会经历几乎相同的温度变化，从而实现良好的热跟踪效果。这一特性对于依赖温度补偿机制的电路至关重要，如带隙基准源或温度感应电路，可以显著降低因温差引起的漂移误差。
　　最后，该器件支持宽范围的工作温度（-55°C至+150°C），满足军用级和工业级应用需求。其封装采用标准TO-92形式，便于手工焊接和自动化装配，且成本低廉，适合大批量生产使用。综合来看，MC146是一款兼具高性能、高可靠性和经济性的双极性晶体管对，适用于多种精密模拟电路设计场景。

MC146广泛应用于各类需要高匹配度双极性晶体管的模拟电路系统中。最常见的用途之一是作为精密电流镜的核心元件，尤其在运算放大器输入级、有源负载配置以及偏置电路中发挥重要作用。由于其NPN和PNP晶体管之间具备优良的VBE匹配和热耦合特性，因此可有效提高电流复制精度，减少静态误差，适用于低功耗、高精度的模拟集成电路外围扩展设计。
　　另一个重要应用是在差分放大器结构中，MC146可用于构建完整的差动对，提供良好的共模抑制能力和线性放大性能。这类电路常见于传感器信号调理模块、音频前置放大器以及数据采集系统的前端接口中。此外，该器件还可用于构建互补推挽输出级，作为小功率音频放大器或驱动电路的一部分，实现高效能的信号输出。
　　在温度测量和补偿领域，MC146也被广泛采用。利用其两个晶体管的基射极电压随温度变化的规律性差异，可以设计出简单的数字温度传感器或温度补偿网络，应用于恒温控制系统、电源管理单元或环境监测设备中。
　　除此之外，MC146还可用于构建基本的模拟乘法器、对数放大器或带隙基准电压源等非线性功能电路。由于其良好的参数一致性，能够显著提升这些电路的精度和稳定性。在工业控制、仪器仪表、通信模块以及消费类电子产品中均有实际应用案例。

MMDT3946BU
　　BCM846B