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MC10H123LDS 发布时间 时间:2025/9/2 12:48:23 查看 阅读:11

MC10H123LDS是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的高性能射频(RF)混频器芯片,属于其广泛应用于通信和射频系统的产品系列之一。该器件专为需要高性能和低噪声特性的高频应用设计,适用于接收和发射链中的信号混合处理。MC10H123LDS采用了先进的硅双极工艺,提供优良的频率响应和线性度性能,适合用于无线基础设施、测试设备、工业控制系统等多种高频应用场景。

参数

类型:射频混频器
  频率范围:100 MHz 至 12 GHz
  工作电压:5V 或 3.3V 可选
  输入功率范围:典型 -10dBm 至 +10dBm
  本振(LO)驱动电平:+7dBm
  噪声系数:典型值 6.5 dB
  转换增益:典型值 5.5 dB
  隔离度:LO 到 RF/IF 典型 40 dB
  封装类型:16引脚 TSSOP

特性

MC10H123LDS具有多项优异特性,使其在高频应用中表现出色。首先,其宽频率范围(100 MHz 至 12 GHz)使其适用于多种射频系统,包括蜂窝通信、Wi-Fi、微波通信等。该混频器支持5V或3.3V的电源供电,具有良好的兼容性和灵活性,适用于不同的电源设计需求。其本振(LO)驱动电平为+7dBm,确保在不同LO源条件下都能稳定工作。
  MC10H123LDS的噪声系数为6.5 dB,转换增益约为5.5 dB,这使其在接收链中能够提供较低的噪声和较高的信号增益,从而提升系统灵敏度和动态范围。此外,LO到RF和IF的隔离度高达40 dB,有效减少了本振信号对输入和输出信号的干扰,提高了系统的整体性能。该器件的高线性度和良好的互调抑制能力也使其在多信号环境下表现出色,减少了信号失真和干扰。
  封装方面,MC10H123LDS采用16引脚TSSOP封装,体积小、重量轻,便于在紧凑型射频模块和PCB板上集成。其高集成度设计减少了外围电路的需求,简化了系统设计并提高了可靠性。

应用

MC10H123LDS广泛应用于多种高频通信系统和射频设备中,包括但不限于无线基站、Wi-Fi接入点、卫星通信设备、微波链路、测试与测量仪器以及工业控制系统。该器件特别适合需要宽频带操作和高性能信号混合的应用场景,例如软件定义无线电(SDR)、频谱分析仪和无线监控设备等。其低噪声和高线性度特性使其成为接收链和发射链中的关键组件,能够有效提升系统信号质量和稳定性。

替代型号

MC10H124LDS, MC10H125LDS

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